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邹德恕; 高国; 陈建新; 沈光地; 张京燕; 杜金玉; 邓军;
北京工业大学电子工程系;
离子注入; 自对准; 半导体器件;
机译:在选择性离子注入的衬底上生长的单轴应变SiGe(111)和SiGe(100)
机译:H离子注入并在真空和干燥的O_2环境中退火的Si / SiGe / Si异质结构的研究
机译:离子注入Si顺应性衬底上生长的弛豫SiGe薄膜的研究
机译:硅中Ge离子注入形成SiGe层的自对准SiGe HBT自对准横向HBT的技术要求
机译:追求量子硬件:Si / SiGe异质结构中的栅极定义量子点的研究
机译:在单个制造步骤中生成自对准SiO2 / Ge / SiO2 / SiGe栅堆叠异质结构的独特方法
机译:mn和as离子注入不同锗浓度的siGe合金的研究
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造
机译:使用Sige层作为牺牲层形成半导体器件的精细图案的方法以及使用该Sige层形成自对准触点的方法
机译:使用离子注入制造具有SiGe沟道的场效应晶体管的方法
机译:离子注入法制备具有SiGe通道的场效应晶体管的方法
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