The University of Texas at Austin;
机译:衬底取向对使用HfO_2和硅界面钝化层的GaAs金属氧化物半导体电容器和自对准晶体管的电和材料性能的影响
机译:用于接触III-V化合物材料的硅CMOS欧姆接触技术
机译:掺入具有硅界面钝化层的HfO_2 GaAs n型金属氧化物半导体电容器的((Gd_2O_3)的电特性的优化
机译:铁电氧化ha:兼容CMOS且高度可扩展的未来铁电存储器方法
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:隧穿原子层沉积氧化铝:硅结的表面钝化的相关结构/电性能研究
机译:用于接触III-V复合材料的硅CmOs欧姆接触技术