机译:使用原位HCL蚀刻技术消除硅藻土中固相表位(SPE)所产生的氧化再结晶边界缺陷,从而利用直接硅键合底物(DSB)和杂化技术制备纳米级CMOS晶体管
公开/公告号US2010216286A1
专利类型
公开/公告日2010-08-26
原文格式PDF
申请/专利权人 ANGELO PINTO;
申请/专利号US20090391657
发明设计人 ANGELO PINTO;
申请日2009-02-24
分类号H01L21/302;H01L21/31;H01L21/8238;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:54:56