机译:在使用直接硅键合衬底(DSB)和混合取向技术(HOT)的纳米级CMOS晶体管制造中,使用原位HCL蚀刻通过氧化重结晶消除在固相外延(SPE)期间产生的边界缺陷
公开/公告号US7897447B2
专利类型
公开/公告日2011-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 ANGELO PINTO;
申请/专利号US20090391657
发明设计人 ANGELO PINTO;
申请日2009-02-24
分类号H01L21/8234;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:08:24