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许怡红; 王尘; 陈松岩; 李成;
厦门工学院电子与电气工程学院;
福建厦门361021;
厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;
福建厦门361024;
厦门大学物理系半导体光子学研究中心;
福建厦门361005;
硅缓冲层; 锗(Ge); 选区外延生长; 超高真空化学气相沉积; 退火;
机译:锗在多孔硅上的生长:缓冲液孔隙度对外延层晶体质量的影响
机译:通过高质量的碳化硅缓冲层在硅衬底上异质外延生长光滑连续的金刚石薄膜
机译:缓冲层生长条件对分子外延硅锗生长空位浓度的影响
机译:氮化铝缓冲层生长III族氮化物外延(111)硅
机译:调整用于外延生长的高质量种子的多孔硅层的应变和表面粗糙度
机译:外延YBa / sub 2 / Cu / sub 3 / O / sub y /采用Eu / sub 2 / CuO / sub 4 // YsZ双缓冲层在硅上生长的薄膜
机译:外延氮化镓薄膜与硅基器件的生长与集成。
机译:通过应用外延硅层和包含该外延硅层的电子器件制造高质量多晶硅薄膜的方法
机译:制造薄层元件包括在晶体层上外延生长锗材料的晶体层,以及在与硅锗板相对的锗材料的表面上形成氧化物层。
机译:制造化合物半导体外延晶片的步骤包括:在金属基板上沉积硅薄膜;在硅缓冲层上沉积化合物半导体薄膜;以及使化合物半导体薄膜结晶化
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