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兰天平; 周春锋; 边义午; 宋禹; 马麟丰;
中国电子科技集团公司第四十六研究所;
天津300220;
GaAs; 垂直梯度凝固(VGF); 垂直布里奇曼(VB); 晶体生长; 电阻率; 均匀性;
机译:Co掺杂非晶碳与GaAs之间的接触和光电导特性:n型低电阻率和半绝缘高电阻率GaAs
机译:半绝缘GaAs的电阻率二维微观均匀性
机译:辐照对LEC生长半绝缘GAAS单晶的微核化的影响
机译:通过气相外延生长的高纯度高电阻率GaAs膜的缺陷水平和不均匀性
机译:使用二氯硅烷的高生长速率和高纯度半绝缘外延,用于功率器件。
机译:石墨烯/半绝缘单晶CdTe肖特基型异质结X射线和γ射线辐射探测器
机译:3英寸,半绝缘,垂直梯度冻结GaAs晶片的均匀性
机译:光诱导瞬态光谱pITs研究未掺杂LEC(液体封装Czochralski)生长的半绝缘Gaas
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:具有半绝缘特性的GaAs单晶的生长方法
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