一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法

摘要

一种提高半绝缘磷化铟单晶电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将半绝缘磷化铟单晶放入该石英管内，并放入一定量的高纯铁粉和红磷；对装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管进行抽真空，然后封口；将装有半绝缘磷化铟单晶及高纯铁粉和红磷的石英管放入高温炉内，在磷化铁气氛下高温退火。本发明提供的这种提高半绝缘InP单晶片电阻率均匀性的方法，提高了半绝缘InP晶片的质量和电阻的均匀性，半绝缘InP晶片具有更好地电学性质，更有利于光电子器件的应用。