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王泳鸿; 马碧春; 刘锡田;
中国金属学会;
砷化镓; 晶体生长; 生长; 单晶; 晶体掺杂; 位错; 半绝缘体; 电子迁移率; 半导体材料;
机译:基于低温生长的砷化镓和半绝缘砷化镓的光电导天线的发射特性
机译:具有多种功函数栅金属的砷化铟铝/砷化镓铟变质高电子迁移率晶体管的碰撞电离和闪烁噪声特性研究
机译:新型零静态偏压瞬态电流谱技术在低温下分子束外延生长退火的半绝缘砷化镓外延层中电子陷阱的定量分析
机译:太赫兹脉冲产生过程中低温砷化镓和半绝缘砷化镓的衬底条件比较
机译:在半绝缘砷化镓上通过喷涂技术沉积的基于碳纳米管的光电探测器
机译:空间生长和地球生长的砷化镓单晶衬底的场效应晶体管特性比较
机译:半导体和半绝缘砷化镓界面的迁移率,掺杂和载流子分布。
机译:半绝缘砷化镓半导体单晶的热处理,半绝缘砷化镓半导体单晶和晶片的热处理
机译:砷化镓低位错单晶的生长方法
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