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丁勇; 严晓浪;
浙江大学超大规模集成电路设计研究所;
杭州310027;
GaAs; MESFET; 旁栅偏压; 迟滞; 沟道-衬底结;
机译:沟道场对短栅n-GaAs MESFET截止频率的影响
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:具有不同MBE缓冲层厚度的GaAs MESFET中的沟道衬底电流和击穿特性
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:聚对二甲苯C衬底上的柔性底栅石墨烯晶体管和电流退火的影响
机译:GaAs MESFET电流中的低频噪声与衬底电导率和沟道-衬底结点有关
机译:短沟道Gaas mEsFET中的扩散效应
机译:FinFET pMOS双栅半导体器件,具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变,<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
机译:互补晶体管的制造方法,涉及在另一衬底上形成具有特定临界尺寸的n沟道和p沟道晶体管的栅电极结构。
机译:Gaas短沟道轻掺杂漏极Mesfet的制造
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