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【2h】

Low-frequency noises in GaAs MESFET’s currents associated with substrate conductivity and channel-substrate junction

机译：GaAs MESFET电流中的低频噪声与衬底电导率和沟道-衬底结点有关

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Yong Ding; XiaoLang Yan;
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年度 2011
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1. Low-frequency noises in GaAs MESFET＇s currents associated with substrate conductivity and channel-substrate junction [J] . DING Yong, YAN XiaoLang 中国科学通报：英文版 . 2011,第012期

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4. Channel-substrate current and breakdown characteristics in GaAs MESFETs with varied MBE buffer thickness [C] . Gao F., Chanana R., Nicholls T. GaAs Reliability Workshop, 2001. Proceedings . 2001

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