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李亮; 默江辉; 邓小川; 李佳; 冯志红; 崔玉兴; 付兴昌; 蔡树军;
专用集成电路重点实验室;
石家庄050051;
电子科技大学;
成都610054;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
碳化硅; 微波; 金属半导体场效应晶体管; 功率密度; 脉冲;
机译:4H-SiC MESFET在1.8 GHz时的功率密度为2.8 W / mm
机译:具有多凹槽栅极的高功率密度SiC MESFET
机译:利用SiC器件开发高功率密度交错式DC / DC转换器
机译:用于SiC MESFET的高纯度与高缺陷密度半裸基板:器件特性的仿真
机译:用于高功率密度应用的SiC功率器件的电气集成。
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调整,可在2GHz时实现SiC功率MESFET器件的峰值性能
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:在SiC中引入杂质掺杂剂的方法,通过该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的源
机译:在SiC中引入杂质掺杂剂的方法,以该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的来源
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