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商庆杰; 潘宏菽; 陈昊; 霍玉柱; 杨霏; 默江辉; 冯震;
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室;
碳化硅; 金属-半导体场效应晶体管; 牺牲氧化; 干法刻蚀; 等平面工艺;
机译:迪斯科开发了用于SiC晶圆的新工艺'KABRA'工艺:降低SiC器件成本的方法!
机译:大功率SiC-MESFET器件的立方和六方碳化硅中亚皮秒瞬态电子传输的集成蒙特卡洛分析
机译:凹陷的p缓冲层SiC MESFET:一种改善DC和RF特性的新型器件
机译:绿色器件晶体基材加工过程技术研究 - 一种实现SIC板处理时间减少的新工艺开发
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调整,可在2GHz时实现SiC功率MESFET器件的峰值性能
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:形成氧化物膜的方法,半导体器件,半导体器件的制造方法,氧化工艺以及使用该氧化物膜的SiC-MOS型半导体器件以及使用该SiC衬底的SiC-MOS集成电路
机译:GaAs MESFET器件的自对准制造工艺
机译:具有自对准凸起的源极和漏极区的III-V半导体MESFET器件的形成工艺
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