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徐庆安; 邵逸恺; 汪韬; 尹飞; 闫欣; 辛丽伟; 王警卫;
北京控制工程研究所,北京100190;
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119;
InAsSb; LP-MOCVD; 超晶格; GaSb衬底; 红外探测器;
机译:先进的光散射材料:通过LP-MOCVD生长的双纹理ZnO:B膜
机译:分子束外延生长与(100)GaSb匹配的InAsSb合金和InAsSb / GaSb超晶格晶格的生长
机译:利用热壁外延生长的富Sb InAsSb缓冲层改善InAsSb外延层的结构和电性能
机译:基于通过LP-MOCVD生长的窄间隙AIIIBV半导体材料的红外光电探测器
机译:在操作期间监测材料表面裂纹生长的方法=在材料表面上在线裂纹生长监测方法的发展
机译:Ni蒸气辅助生长直接生长自结晶石墨烯和石墨纳米球:从可控生长到材料表征
机译:LP-MOCVD生长的InGaN和InGaN / GaN量子阱的表征
机译:Lp-mOCVD生长的si衬底上GaInasp-Inp双异质结构激光器
机译:植物生长材料,植物生长材料的制造方法以及使用植物生长材料的植物生长方法
机译:植物生长材料,用于生产植物生长材料的方法以及使用该植物生长材料生长植物的方法
机译:植物生长材料支撑物,植物生长材料支撑结构以及生产植物生长材料支撑结构的方法
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