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一种采用LP-MOCVD系统生长低位错密度高铟组分铟镓砷材料的方法

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摘要

本发明涉及采用LP-MOCVD系统生长低位错密度高铟组分铟镓砷材料的方法。解决现有组分逐渐过渡方法生长的吸收层位错密度大导致探测器性能下降的技术问题。本发明的生长铟镓砷材料方法，在低温(400℃～450℃)时首先在衬底上生长一层厚度为10～20nm与衬底同质的第一低温缓冲层；然后保持温度不变生长30～120nm的In

著录项

公开/公告号CN103397376A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-11-20

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
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申请/专利号CN201310309499.X
发明设计人曾玉刚;缪国庆;宁永强;王立军;
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申请日2013-07-23
分类号C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L31/18;
代理机构长春菁华专利商标代理事务所;
代理人南小平
地址 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
入库时间 2024-02-19 20:43:39

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B25/02 申请公布日:20131120 申请日:20130723

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-12-18

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/02 申请日:20130723

实质审查的生效
2013-11-20

公开

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