机译:通过透射电子显微镜和X射线衍射显示,LP-MOCVD在块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN激光有源结构中的均匀铟分布
机译:通过透射电子显微镜和X射线衍射显示,LP-MOCVD在块状GaN晶体上生长的InGaN / GaN激光有源结构中的均匀铟分布
机译:在InGaN / GaN半体缓冲层上生长的InGaN / InGaN多量子阱,用于蓝到青色发射,具有改善的光发射和效率下降
机译:MOCVD生长的InGaN外延层和InGaN / GaN量子阱中异常依赖温度的发射移位的载流子动力学
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:混合N2 / H2生长GaN势垒的InGaN / GaN多量子阱的表面形貌演化机理。
机译:LP-MOCVD生长的InGaN和InGaN / GaN量子阱的表征