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罗文博; 朱俊; 廖秀尉;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
BIFEO3; 脉冲激光沉积; X射线衍射; 压电力显微镜;
机译:SrTiO_3 / TiO_2缓冲层对在GaN上生长的BiFeO_3薄膜的结构和电性能的影响(0002)
机译:在晶体和非晶衬底上激光脉冲沉积生长的GaN_xAs_(1-x)半导体薄膜的研究
机译:SrTiO_3缓冲Ⅲ-Ⅴ半导体GaAs上Mn掺杂BiFeO_3薄膜的异质外延生长和多铁性。
机译:在非晶石英玻璃基板上直接生长的GaN基薄膜光致发光性能的变化
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:在(111)3C-SIC上生长的外延ALN / GAN薄膜缺陷结构研究
机译:检测六角形Ga的双原子层中的超导相 在半导体GaN(0001)上生长的薄膜
机译:新型碳化钽(TaC)衬底上低缺陷密度氮化镓(GaN)薄膜的生长,提高器件性能
机译:表皮生长基质,生产GAN基半导体薄膜的过程,GAN基半导体薄膜,生产GAN基半导体发光元素的过程以及GAN基半导体发光元素的过程
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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