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张磊; 叶辉; 皇甫幼睿; 詹文博; 刘旭;
浙江大学现代光学仪器国家重点实验室;
锗岛; 纳米微结构; 分子束外延; 二氧化硅; 成核;
机译:纳米图案化的二氧化硅和氮化硅衬底上锗量子点的受控异质成核和生长
机译:Ge / Si衬底上高密度InAs / Sb:GaAs量子点的金属有机化学气相沉积生长及其室温电致发光
机译:GaAs(111)4衬底上高密度的GaAs量子点
机译:嵌入二氧化硅基质中的锗量子点的三阶光学非线性研究
机译:全面的电容电压分析,包括锗和其他替代沟道材料上高k界面的量子效应。
机译:射频磁控溅射法生长的锗量子点与衬底温度相关的表面形貌和光致发光
机译:射频磁控溅射制备锗量子点的衬底温度相关表面形貌和光致发光
机译:Inp衬底上Inas量子点激光的激光特性
机译:锗量子点,锗量子点复合材料的生长方法及其应用
机译:至少表面具有锗或硅锗合金的基质上高温氧化制备二氧化硅层的方法
机译:硅锗太阳能电池结合了由硅衬底上的一系列硅和锗层组成的量子坑结构
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