一种金/二氧化硅核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，以金核作为等离子激元增强中心，以SiO2壳作为隔离层，以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光层，再通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合发光薄膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。其中，利用金/SiO2壳核结构纳米颗粒在外界电场作用下等离子体激元增强效应，改变其下面半导体量子点周围电场分布和强度，最终提升半导体量子点薄膜的发光性能。