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Sche.PR; 闫萍;
不详;
氮化硅; 氧化硅; PECVD; 薄膜;
机译:等离子体处理对PECVD氧化硅和氮化硅MIM电容器微结构和电性能的影响
机译:使用分布式天线阵列PECVD系统在氮化硅衬底上低温沉积纳米晶金刚石膜
机译:通过集成的ECR-PECVD和磁控溅射制备铕掺杂氧化硅,氧氮化硅和氮化硅膜的表征
机译:用RBS,ERDA和CARS测定脉冲PECVD氮化硅薄膜中的氢。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:PECVD氮化硅微结构与氧化硅衬底之间的吸引力研究
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用
机译:氮化硅衬底,使用氮化硅衬底和半导体模块的氮化硅导体板氮化硅衬底的制造方法,
机译:氮化硅衬底,氮化硅衬底的制造方法,使用该氮化硅衬底的氮化硅布线板以及半导体模块
机译:具有膜的传感器的生产包括通过LPCVD或PECVD工艺在硅衬底的表面上沉积氮化硅层,以及从衬底的底侧蚀刻凹槽。
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