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大功率半导体器件的工艺现状

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摘要

90年代中期,采用6英寸区融(FZ)硅片(开发于1993年)和硅片工艺设计(开发于90年代)新技术,增加了晶闸管和GTO容量.由于功率器件容量增大,人们须考虑的是如何用自关断器件使功率电子达到更高的性能,进而扩展应用领域.

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来源
《变流技术与电力牵引》 |2002年第2期|11-17|共7页
作者
K.SATOH; 黄慧;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类
关键词
GCT GTO; 大功率半导体器件; HVIGBT; 晶闸管;

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