一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P型硼结区和N型磷结区，N型磷结区上下两端均设有P型硼结区，在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si₃N₄薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的制备工艺依次包括以下工艺步骤：淀积α-多晶硅，b、淀积半绝缘多晶硅，c、淀积低温热氧化层，d、淀积Si₃N₄，e、玻璃钝化，f、最外层的低温热氧化层淀积。本发明的有益效果是：淀积α-多晶硅层能实现晶格适配，修复槽内硅片晶格损伤，减小结表面漏电流，提高器件的高温工作稳定性和可靠性。