PHEMT电离辐照效应研究

杨广林; 杜磊; 庄奕琪; 何亮; 胡瑾; 刘宇安

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PHEMT电离辐照效应研究

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对PHEMT的电离辐照效应进行了研究，通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显．分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源．发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生较大低频噪声的主要原因，但辐照不会在异质结界面处引入大量的界面态，从而在微观上解释了实验结果．

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来源
《传感技术学报》|2006年第5a期|P.1800-1802|共3页
作者
杨广林; 杜磊; 庄奕琪; 何亮; 胡瑾; 刘宇安;
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作者单位

西安电子科技大学技术物理学院,西安710071;

西安电子科技大学微电子学院,西安710071;

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正文语种 CHI
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
电离辐照; PHEMT; 界面态; 低频噪声;

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