硅片低温键合湿化学法表面活化工艺研究

摘要

探讨了使用湿化学法对硅片表面进行活化，完成硅圆片低温直接键合的流程．通过对不同活化流程细节的分析，以及实际的实验结果，对不同的工艺流程的键合效果进行比较．提出采用浓HNO3进行表面活化的方法相对于采用H2SO4以及HF效果要好．其在Si片表面生成的多孔结构氧化层有利于键合．此外，混合了微量HF的活化液由于HF活性较大，配量不易控制，在实际实验室环境中并不实用．文中还给出了实际键合样片的红外图像以及拉伸曲线．