一种基于表面修饰与活化的低温半导体直接键合方法

摘要

本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种基于表面修饰与活化的低温半导体直接键合方法。包括如下步骤：S1、采用化学机械抛光工艺对不同衬底上生长的III‑V族外延层表面进行全局平坦化抛光处理；S2、在兆声条件下采用浓度1％‑5％酸性或碱性溶液对外延层表面进行化学清洗；S3、外延片清洁甩干后进入键合机；在真空和加热条件下采用甲酸/氮气混合气体对键合层表面进行化学性质活化处理；S4、最后进行半导体直接键合和退火加固。本发明有效去除了键合界面杂质和氧化物，界面结晶质量良好，界面电阻率显著降低。相比于等离子活化技术，在取得相近键合效果的基础上，本发明的设备结构和工艺流程简单，成本显著降低，适合工业化生产。