HF

摘要： 采用恒界面池法研究了N263-HSCN体系萃取锆和铪的动力学,考察界面积、萃取槽搅拌速度、温度对萃取锆和铪的影响,从而确定萃取动力学类型。结果表明,当搅拌速度小于130 r min时,萃取过程由扩散反应控制,锆铪的萃取速率常数随搅拌速度的增加而增大;当搅拌速度在130~170 r min时,萃取过程由化学反应控制,锆和铪的萃取速率常数随搅拌速度的增加基本保持不变。随着界面积的增加和温度的提高,锆和铪的萃取速率常数均增加,其表观活化能分别为42.06 kJ/mol和31.77 kJ/mol,说明该萃取过程为相界面处的化学反应控制过程。计算出锆和铪萃取的焓变分别为39.59 kJ/mol和29.30 kJ/mol,熵变分别为-147.53 J(mol·K)和-174.38 J(mol·K),在298.15 K时吉布斯自由能变分别为83.57 kJ/mol和81.29 kJ/mol。

摘要： 残极冷却过程中的无组织排放是铝电解HF进入大气的主要方式.针对该问题,开发了残极集气系统,研究了不同烟气流速下,残极集气系统内残极的温度变化、HF散发规律,以及该系统对HF无组织排放的减排效果.结果表明,残极集气系统可有效降低残极冷却过程中的无组织排放.残极进入集气系统的初始温度为920°C,降温速度先快后慢.HF质量浓度随烟气流量加大而增加,随烟气温度降低而减少,通过拟合函数进行了相关性分析.运行4 h时,HF的累计散发量达到总散发量的95%以上.在最优烟气流速4000 m^(3)/h时,氟化物的无组织排放较无减排措施时降低0.201 kg/t(吨铝减排量).

摘要： 近日,中石化经纬公司西南测控采用随钻测井+特殊录井+地质导向+井震“四维联合导航”,引领钻头如蛟龙入海,“躺”跑入靶,实现威荣气田二期威页28-10HF井单日进尺320米,创中石化威荣气田水平段日进尺最高纪录。威页28-10HF井是中石化西南分公司川西南平缓构造带铁山-威远构造上的一口水平开发井。

摘要： 本文提供了一个采用RKEF工艺处理不锈钢污泥的工程案例,实现了不锈钢酸洗污泥的无害化、减量化、资源化利用,镍、铁回收率均超过90%,同时克服了烟气中HF、NOX浓度较高,排放标准较严的困难,实现了烟气的达标排放。

摘要： 为研究Hf基非晶合金的变形行为及高速侵彻性能,分别开展了 Hf基非晶合金材料静动态力学性能和Hf基非晶合金夹芯结构长杆弹高速侵彻45钢靶体试验研究,并与45钢夹芯长杆弹侵彻结果进行对比.研究发现:Hf基非晶合金具有较高的断裂强度,断裂时伴随有能量释放现象;Hf基非晶合金夹芯长杆弹侵彻钢靶过程可分为3个阶段:开坑、夹芯结构侵彻和剩余弹体侵彻.Hf非晶合金在侵彻过程中发生了明显的释能反应,显著地增强了弹体毁伤效应,扩大了侵彻弹孔直径,增加了弹体侵彻深度和弹孔体积.在高速冲击下,Hf基非晶合金夹芯长杆弹表现出优异的侵彻性能,可以为非晶合金材料在高效毁伤领域的应用提供新思路.

摘要： 目的 探讨急性心肌梗死(AMI)合并心力衰竭(HF)患者血清微小RNA210表达与B型脑钠肽(BNP)及预后的相关性.方法 选取2019年3月～2020年5月接受治疗的50例AMI合并HF患者作为研究对象,收集所有研究对象的血清样本,采用酶联免疫吸附测定(ELISA)检测血清BNP水平,采用实时荧光定量PCR(qRT-PCR)检测血清miR-210表达,并对所有研究对象跟踪随访3年,统计所有研究对象的存活情况和生存时间,采用Pearson相关性分析血清miR-210与BNP的相关性;采用Kaplan-Meier生存曲线分析miR-210与患者预后的关系.结果 AMI合并HF患者血清miR-210表达与BNP呈正相关性(r=0.981,P=0.000);三年内共死亡12例,存活率为76.00％.将血清miR-210中位值作为分界线,其中miR-210高表达患者22例,存活15例,存活率为68.18％;miR-210低表达患者28例,存活23例,存活率为82.14％;miR-210低表达患者存活率明显高于miR-210高表达患者,差异有统计学意义(χ2=27.483,P=0.000).结论 AMI合并HF患者的血清miR-210水平与BNP相关,与患者不良预后有关,可能作为疾病诊断和治疗的生物学指标.

摘要： 目的:探究头孢他啶联合左氧氟沙星治疗老年心衰(HF)合并肺部感染的效果及对血清WBC、PCT的影响.方法:选取本院2017年3月-2020年3月收治的HF合并肺部感染的老年患者76例为研究对象.采用随机数字表法将患者分为联合组和对照组,每组38例.对照组采用头孢他啶治疗,联合组在对照组的基础上加用左氧氟沙星治疗.比较两组患者血液指标、心功能指标水平,比较两组病原菌清除情况.结果:治疗后,两组的IL-6、TNF-α、BNP、WBC、PCT水平均显著低于治疗前,且联合组上述指标均显著低于对照组,差异均有统计学意义(P＜0.05).治疗后,两组LVESD、LVEDD、LVDs水平均显著低于治疗前,且联合组上述指标均低于对照组(P＜0.05);治疗后,两组LVEF均显著高于治疗前,且联合组高于对照组(P＜0.05).联合组病原菌清除率为70.7％,显著高于对照组的47.4％,差异有统计学意义(P＜0.05).治疗后,联合组的总有效率为92.11％,显著高于对照组的71.05％,差异有统计学意义(P＜0.05).结论:头孢他啶联合左氧氟沙星治疗老年HF合并肺部感染效果较好,不仅可有效地清除病原菌,降低血清中WBC、PCT水平,还能改善患者的肺部感染和心脏功能.

摘要： 电子级氯化氢(HCl)、溴化氢(HBr)和氟化氢(HF)等高纯气体是半导体领域不可或缺的原材料之一,作为芯片先进支撑的一类核心气体主要用于芯片制造中的硅片蚀刻等工艺.随着电子行业的飞速发展,对电子气体的纯度要求越来越高.HCl、HBr和HF电子气体具有腐蚀性和强烈的亲水性,且遇水后腐蚀性增强,损耗设备,影响气体纯度,因此对其纯化过程中水分杂质的去除提出了严苛的要求.介绍了近年来腐蚀性电子气体HCl、HBr和HF中痕量水分的去除工艺;展望了 HCl、HBr和HF电子气体的发展前景.

摘要： 在等原子比的γ-TiAl基金属间化合物的基础上添加Nb、Hf、Zr元素,熔炼了3种合金,研究了这3种合金在静止空气中的1600°C高温升温过程和700°C、800°C、850°C低温下恒温20 h的氧化行为.结果表明:合金4Nb-4Zr、合金4Nb-4Hf和合金8Nb在1600°C升温氧化过程中都存在一个孕育期,温度上升至1000°C以上才开始出现急速氧化的趋势.而700°C、800°C和850°C恒温氧化过程中不存在孕育期,氧化曲线呈现抛物线型.计算和修正了三种合金分别在700°C、800°C和850°C下氧化抛物线常数Kp值.三种合金氧化后氧化膜主要由致密的Al2 O3和疏松的TiO2组成.合金元素主要通过影响氧化膜中致密的Al2 O3的量来控制合金的抗氧化性.元素Hf对提高TiAl合金中Al的活度作用明显,合金氧化膜中Al2 O3量最多,合金抗氧化性最佳.元素Nb次之,元素Zr最差.

摘要： 武汉某钢厂热轧 2250 生产线液压润滑系统数量较多,油耗较高,由于液压润滑系统泄漏造成的故障时间也较长,造成整条 产线生产成本增加。由于产线采取区域制管理模式,整条产线的液压润滑系统油脂消耗从未进行统一管理。此次,通过成立 HFI 专项治理小组,通过数据分析,采取整体分析,统一管理。通过制定整体统一的 HFI 分析方法,查找各区域液压润滑系 统存在的问题,发现异常消耗,降低生产成本。HFI 指数虽然是液压油添加的指数,同样可以应用推广在润滑系统中,真实 的反应出润滑油的消耗情况,反应出液压润滑管理水平的高低。产线将 HFI 专项治理小组管理理念由液压油推广到齿轮油, 油膜油系统的管理,通过推行“预防性维护,工厂化维修”的理念,旨在降低油脂消耗,降低生产成本,确保设备运行正常。

摘要： 本文系统研究了0－32wt％Cr、1－7.5wt％Al、0.3－1wt％Hf 对镍基熔融合金/氧化硅陶瓷界面反 应的影响,并进一步探索了含Hf 合金中,温度对界面反应的作用规律.采用X 射线衍射、扫描电镜及能 谱仪对反应产物、反应界面形貌及结构进行了分析.研究结果表明,在镍基熔融合金/氧化硅型芯反应界面,Cr 含量对界面反应有明显的促进作用,随着Cr 含量的增加,合金中的铝氧化物数量增多,当Cr 含量达到 32wt%,尽管合金中仅有1wt％的Al,熔融合金/氧化硅陶瓷界面在1500°C即可形成一定厚度的产物层.Hf 对界面反应的促进作用强于Cr.无Hf 镍基合金的反应产物主要是氧化铝,含Hf 镍基合金主要生成氧化铪 及氧化铝.在中等Cr（9wt%）、含Hf 为1wt％合金中反应界面主要形成氧化铪；在较高Cr（15wt%）、含 Hf 为0.3wt％合金中反应产物中氧化铝增多,随温度升高反应程度显著增加,当反应温度升高至1540°C,反应产物有双层,靠近金属为氧化铪层,之上为氧化铝层.

摘要： 本文系统研究了0－32wt％Cr、1－7.5wt％Al、0.3－1wt％Hf 对镍基熔融合金/氧化硅陶瓷界面反 应的影响,并进一步探索了含Hf 合金中,温度对界面反应的作用规律.采用X 射线衍射、扫描电镜及能 谱仪对反应产物、反应界面形貌及结构进行了分析.研究结果表明,在镍基熔融合金/氧化硅型芯反应界面,Cr 含量对界面反应有明显的促进作用,随着Cr 含量的增加,合金中的铝氧化物数量增多,当Cr 含量达到 32wt%,尽管合金中仅有1wt％的Al,熔融合金/氧化硅陶瓷界面在1500°C即可形成一定厚度的产物层.Hf 对界面反应的促进作用强于Cr.无Hf 镍基合金的反应产物主要是氧化铝,含Hf 镍基合金主要生成氧化铪 及氧化铝.在中等Cr（9wt%）、含Hf 为1wt％合金中反应界面主要形成氧化铪；在较高Cr（15wt%）、含 Hf 为0.3wt％合金中反应产物中氧化铝增多,随温度升高反应程度显著增加,当反应温度升高至1540°C,反应产物有双层,靠近金属为氧化铪层,之上为氧化铝层.

摘要： 本文系统研究了0－32wt％Cr、1－7.5wt％Al、0.3－1wt％Hf 对镍基熔融合金/氧化硅陶瓷界面反 应的影响,并进一步探索了含Hf 合金中,温度对界面反应的作用规律.采用X 射线衍射、扫描电镜及能 谱仪对反应产物、反应界面形貌及结构进行了分析.研究结果表明,在镍基熔融合金/氧化硅型芯反应界面,Cr 含量对界面反应有明显的促进作用,随着Cr 含量的增加,合金中的铝氧化物数量增多,当Cr 含量达到 32wt%,尽管合金中仅有1wt％的Al,熔融合金/氧化硅陶瓷界面在1500°C即可形成一定厚度的产物层.Hf 对界面反应的促进作用强于Cr.无Hf 镍基合金的反应产物主要是氧化铝,含Hf 镍基合金主要生成氧化铪 及氧化铝.在中等Cr（9wt%）、含Hf 为1wt％合金中反应界面主要形成氧化铪；在较高Cr（15wt%）、含 Hf 为0.3wt％合金中反应产物中氧化铝增多,随温度升高反应程度显著增加,当反应温度升高至1540°C,反应产物有双层,靠近金属为氧化铪层,之上为氧化铝层.

摘要： 本文系统研究了0－32wt％Cr、1－7.5wt％Al、0.3－1wt％Hf 对镍基熔融合金/氧化硅陶瓷界面反 应的影响,并进一步探索了含Hf 合金中,温度对界面反应的作用规律.采用X 射线衍射、扫描电镜及能 谱仪对反应产物、反应界面形貌及结构进行了分析.研究结果表明,在镍基熔融合金/氧化硅型芯反应界面,Cr 含量对界面反应有明显的促进作用,随着Cr 含量的增加,合金中的铝氧化物数量增多,当Cr 含量达到 32wt%,尽管合金中仅有1wt％的Al,熔融合金/氧化硅陶瓷界面在1500°C即可形成一定厚度的产物层.Hf 对界面反应的促进作用强于Cr.无Hf 镍基合金的反应产物主要是氧化铝,含Hf 镍基合金主要生成氧化铪 及氧化铝.在中等Cr（9wt%）、含Hf 为1wt％合金中反应界面主要形成氧化铪；在较高Cr（15wt%）、含 Hf 为0.3wt％合金中反应产物中氧化铝增多,随温度升高反应程度显著增加,当反应温度升高至1540°C,反应产物有双层,靠近金属为氧化铪层,之上为氧化铝层.

摘要： tg425利用真空电弧炉熔炼一系列Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金,测定了其熔化温度区间并分析组织,发现Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金实际共晶点分别为Ni-24wt%Hf,Ni-16wt%Zr.在此基础上设计了以Hf、Zr 和Hf+Zr 为降熔元素 并加入一定量的Cr、Co、Mo 合金强化元素的五种钎料.发现对Ni-Hf、Ni-Zr 共晶钎料加入Cr、Co、Mo 元素 后,其共晶组织形态不发生改变.对于Hf+Zr 联合降熔的钎料,通过对Ni-Hf、Ni-Zr、Hf-Zr 三个二元相图的综 合分析,推导出如下公式:mZr=0.16-0.667mHf,当钎料成分中Zr 含量mZr 与Hf 含量mHf 满足上述公式时,即为 共晶成分,按公式分别用mZr=5wt%和mZr10wt%成分配制两种名义共晶成分钎料同时配制一种mZr=5wt%,mHf=18wt%的名义过共晶成分钎料,进行熔化温度区间测定和组织分析,发现按公式配制的两种名义共晶成分 钎料均为共晶组织,而配制的名义过共晶成分钎料为过共晶组织,结果与公式相吻合.

摘要： tg425利用真空电弧炉熔炼一系列Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金,测定了其熔化温度区间并分析组织,发现Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金实际共晶点分别为Ni-24wt%Hf,Ni-16wt%Zr.在此基础上设计了以Hf、Zr 和Hf+Zr 为降熔元素 并加入一定量的Cr、Co、Mo 合金强化元素的五种钎料.发现对Ni-Hf、Ni-Zr 共晶钎料加入Cr、Co、Mo 元素 后,其共晶组织形态不发生改变.对于Hf+Zr 联合降熔的钎料,通过对Ni-Hf、Ni-Zr、Hf-Zr 三个二元相图的综 合分析,推导出如下公式:mZr=0.16-0.667mHf,当钎料成分中Zr 含量mZr 与Hf 含量mHf 满足上述公式时,即为 共晶成分,按公式分别用mZr=5wt%和mZr10wt%成分配制两种名义共晶成分钎料同时配制一种mZr=5wt%,mHf=18wt%的名义过共晶成分钎料,进行熔化温度区间测定和组织分析,发现按公式配制的两种名义共晶成分 钎料均为共晶组织,而配制的名义过共晶成分钎料为过共晶组织,结果与公式相吻合.

摘要： tg425利用真空电弧炉熔炼一系列Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金,测定了其熔化温度区间并分析组织,发现Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金实际共晶点分别为Ni-24wt%Hf,Ni-16wt%Zr.在此基础上设计了以Hf、Zr 和Hf+Zr 为降熔元素 并加入一定量的Cr、Co、Mo 合金强化元素的五种钎料.发现对Ni-Hf、Ni-Zr 共晶钎料加入Cr、Co、Mo 元素 后,其共晶组织形态不发生改变.对于Hf+Zr 联合降熔的钎料,通过对Ni-Hf、Ni-Zr、Hf-Zr 三个二元相图的综 合分析,推导出如下公式:mZr=0.16-0.667mHf,当钎料成分中Zr 含量mZr 与Hf 含量mHf 满足上述公式时,即为 共晶成分,按公式分别用mZr=5wt%和mZr10wt%成分配制两种名义共晶成分钎料同时配制一种mZr=5wt%,mHf=18wt%的名义过共晶成分钎料,进行熔化温度区间测定和组织分析,发现按公式配制的两种名义共晶成分 钎料均为共晶组织,而配制的名义过共晶成分钎料为过共晶组织,结果与公式相吻合.

摘要： tg425利用真空电弧炉熔炼一系列Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金,测定了其熔化温度区间并分析组织,发现Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金实际共晶点分别为Ni-24wt%Hf,Ni-16wt%Zr.在此基础上设计了以Hf、Zr 和Hf+Zr 为降熔元素 并加入一定量的Cr、Co、Mo 合金强化元素的五种钎料.发现对Ni-Hf、Ni-Zr 共晶钎料加入Cr、Co、Mo 元素 后,其共晶组织形态不发生改变.对于Hf+Zr 联合降熔的钎料,通过对Ni-Hf、Ni-Zr、Hf-Zr 三个二元相图的综 合分析,推导出如下公式:mZr=0.16-0.667mHf,当钎料成分中Zr 含量mZr 与Hf 含量mHf 满足上述公式时,即为 共晶成分,按公式分别用mZr=5wt%和mZr10wt%成分配制两种名义共晶成分钎料同时配制一种mZr=5wt%,mHf=18wt%的名义过共晶成分钎料,进行熔化温度区间测定和组织分析,发现按公式配制的两种名义共晶成分 钎料均为共晶组织,而配制的名义过共晶成分钎料为过共晶组织,结果与公式相吻合.

摘要： tg425利用真空电弧炉熔炼一系列Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金,测定了其熔化温度区间并分析组织,发现Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金实际共晶点分别为Ni-24wt%Hf,Ni-16wt%Zr.在此基础上设计了以Hf、Zr 和Hf+Zr 为降熔元素 并加入一定量的Cr、Co、Mo 合金强化元素的五种钎料.发现对Ni-Hf、Ni-Zr 共晶钎料加入Cr、Co、Mo 元素 后,其共晶组织形态不发生改变.对于Hf+Zr 联合降熔的钎料,通过对Ni-Hf、Ni-Zr、Hf-Zr 三个二元相图的综 合分析,推导出如下公式:mZr=0.16-0.667mHf,当钎料成分中Zr 含量mZr 与Hf 含量mHf 满足上述公式时,即为 共晶成分,按公式分别用mZr=5wt%和mZr10wt%成分配制两种名义共晶成分钎料同时配制一种mZr=5wt%,mHf=18wt%的名义过共晶成分钎料,进行熔化温度区间测定和组织分析,发现按公式配制的两种名义共晶成分 钎料均为共晶组织,而配制的名义过共晶成分钎料为过共晶组织,结果与公式相吻合.

摘要： tg425利用真空电弧炉熔炼一系列Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金,测定了其熔化温度区间并分析组织,发现Ni-Hf、Ni-Zr 二元合金实际共晶点分别为Ni-24wt%Hf,Ni-16wt%Zr.在此基础上设计了以Hf、Zr 和Hf+Zr 为降熔元素 并加入一定量的Cr、Co、Mo 合金强化元素的五种钎料.发现对Ni-Hf、Ni-Zr 共晶钎料加入Cr、Co、Mo 元素 后,其共晶组织形态不发生改变.对于Hf+Zr 联合降熔的钎料,通过对Ni-Hf、Ni-Zr、Hf-Zr 三个二元相图的综 合分析,推导出如下公式:mZr=0.16-0.667mHf,当钎料成分中Zr 含量mZr 与Hf 含量mHf 满足上述公式时,即为 共晶成分,按公式分别用mZr=5wt%和mZr10wt%成分配制两种名义共晶成分钎料同时配制一种mZr=5wt%,mHf=18wt%的名义过共晶成分钎料,进行熔化温度区间测定和组织分析,发现按公式配制的两种名义共晶成分 钎料均为共晶组织,而配制的名义过共晶成分钎料为过共晶组织,结果与公式相吻合.

摘要： 已知用于提供HF电压和HF电流的供电单元，其如此供给电子外科仪器，即，使电子外科仪器可应用于切割和/或凝结组织。在这种类型的供电装置中，HF电流和HF电压的调节最为重要，因为仅仅在选择合适的参数时才可保证电子外科仪器的可靠的功能。在传统的调节或控制单元中常常忽略的是，为进行治疗的医生提供相应的反馈。这可导致对利用仪器治疗的组织的不期望的损害。为了避免这一问题，提出一种供电单元，其包括：用于产生HF输出电压的HF发生器单元；用于在应用HF输出电流期间确定电负载的测量单元；用于输出触觉上可感觉的信号的信号单元；以及控制单元，其至少与测量单元和信号单元处于可通讯的连接中，以用于取决于电负载激活信号单元。

摘要： 本发明涉及一种连接装置，其用于使高频（HF）电缆（12）特别是同轴电缆连接于HF接口（10），特别是连接于同轴插接连接器或中空导体，其中，连接装置包括衬套（14），该衬套（14）的轴向上的第一端部形成为用于与HF接口（10）的连接部（22）插接在一起并且该衬套（14）的与第一端部轴向相反的第二端部形成为用于连接于HF电缆（12），衬套（14）的在衬套（14）和HF接口（10）的连接部（22）的插接状态下面对HF接口（10）的连接部（22）的表面设置沿着轴向的至少一个第一凹槽（30），设置至少一个柱销（20）用于接合在至少一个第一凹槽（30）中。

摘要： 本发明涉及一种HF组合器，其具有包括公共接头和n个信号线接头的壳体。所述n个信号线接头在壳体内与公共接头通过分别n个滤波器路径耦合。电路板布置结构用于低频的信号的输出耦合和单独的传输并且具有公共接头触点接通部和n个信号线接头触点接通部。所述n个信号线接头触点接通部的每个分别通过n个绕行导线之一与公共接头触点接通部电连接或可连接。为此控制装置操控n个信号线切换装置。控制装置在探测到所述n个信号线接头触点接通部之一上的AISG信号时构成为用于，将所述n个信号线接头触点接通部中探测到AISG信号的信号线接头触点接通部与公共接头触点接通部电连接。

摘要： 本申请涉及基因编辑技术领域，具体公开一种

摘要： 本发明属于地质学同位素检测技术领域，公开了一种富Hf矿物或岩石进行Hf同位素分析方法及系统，首先进行同位素分馏的校正计算，同位素分馏校正系数计算原理遵从瑞利分馏法则；然后用测试过程中β(Yb)的平均值来进行干扰校正；进而计算εHf(0)、εHf(t)、THf1、THf2和fLu/Hf值，用来解释样品的地质成因。本发明省却了地质工作中手动计算的繁重工作，可为地质学工作提供更好的服务。

摘要： 本发明涉及一种HfxTa1‑xC合金前驱体的制备方法及其得到的HfxTa1‑xC合金。包括：1)将四氯化铪分散在溶剂中，滴入一元醇和三乙胺的混合物，滴加完毕加热回流，过滤，得铪醇盐溶液；2)将五氯化钽分散在溶剂中，滴入一元醇和三乙胺的混合物，滴加完毕加热回流，过滤，得钽醇盐溶液；3)将铪醇盐和钽醇盐溶液混合，滴加螯合剂，滴完回流；再滴加水和一元醇的混合液，滴完回流，减压蒸馏得到铪钽聚合物前驱体；4)将铪钽聚合物前驱体和烯丙基酚醛混合，得到铪钽合金前驱体。本发明制备的HfxTa1‑xC前驱体溶解性优良，稳定储存期好，可作为纤维增强陶瓷基复合材料基体使用。

摘要： 已知用于提供HF电压和HF电流的供电单元，其如此供给电子外科仪器，即，使电子外科仪器可应用于切割和/或凝结组织。在这种类型的供电装置中，HF电流和HF电压的调节最为重要，因为仅仅在选择合适的参数时才可保证电子外科仪器的可靠的功能。在传统的调节或控制单元中常常忽略的是，为进行治疗的医生提供相应的反馈。这可导致对利用仪器治疗的组织的不期望的损害。为了避免这一问题，提出一种供电单元，其包括：用于产生HF输出电压的HF发生器单元；用于在应用HF输出电流期间确定电负载的测量单元；用于输出触觉上可感觉的信号的信号单元；以及控制单元，其至少与测量单元和信号单元处于可通讯的连接中，以用于取决于电负载激活信号单元。

摘要： 本发明涉及一种连接装置，其用于使高频（HF）电缆（12）特别是同轴电缆连接于HF接口（10），特别是连接于同轴插接连接器或中空导体，其中，连接装置包括衬套（14），该衬套（14）的轴向上的第一端部形成为用于与HF接口（10）的连接部（22）插接在一起并且该衬套（14）的与第一端部轴向相反的第二端部形成为用于连接于HF电缆（12），衬套（14）的在衬套（14）和HF接口（10）的连接部（22）的插接状态下面对HF接口（10）的连接部（22）的表面设置沿着轴向的至少一个第一凹槽（30），设置至少一个柱销（20）用于接合在至少一个第一凹槽（30）中。

摘要： 本申请涉及基因编辑技术领域，具体公开一种SlugCas9‑HF蛋白、含有该蛋白的重组载体、CRISPR/Cas9‑HF基因编辑系统及应用等。所述SlugCas9‑HF蛋白具有SEQ ID NO:1所示氨基酸序列或具有与SEQ ID NO:1至少80％相同、且至少保留了R247A、N415A、T421A及R656A中的一种或两种以上突变的氨基酸序列，所述该蛋白的重组载体是将编码SlugCas9‑HF蛋白氨基酸的基因序列连接到基础载体上而得，CRISPR/Cas9‑HF基因编辑系统由SlugCas9‑HF蛋白和sgRNA组成，其可以高特异性编辑靶基因，编辑效率高，脱靶率在2.87%以内。

摘要： 本发明涉及提高公HF连接器(2)和/或HF插接连接器(2，6；40)的信号完整性的质量的方法，优选用于汽车行业，其中对于具有改进质量的HF插接连接器(2，6；40)，在公HF连接器(2)和母HF配合连接器(6)的电介质材料(20，60)之间具有气隙(4)，在该方法的预备步骤中确定HF插接连接器(2，6；40)的至少一个未补偿的信号完整性，且在该方法的设计步骤中，在HF插接连接器(2，6；40)的公HF端子(10)处/中，在其电磁接触部分(110)旁边提供HF补偿区域(122)，并且确定HF插接连接器(2，6；40)的补偿的信号完整性，其中确定HF补偿区域(122)的尺寸，使得经补偿的信号完整性的质量高于未补偿的信号完整性的质量。