计算机模拟微晶硅薄膜太阳电池量子效率

摘要

太阳电池的性能参数不仅受到本征层厚度的影响,也受本征活性层晶化率影响.基于AMPS-1D仿真软件,在模拟无缓冲层和最佳缓冲层两种条件下,计算不同本征层厚度和晶化率时电池相关参数.计算数据表明,缓冲层厚度在100 nm时,太阳电池性能最好,且高于无缓冲层情况;量子效率在长波段与本征层晶化率正相关,晶化率提高的同时,电池的短路电流增大,转换效率与填充因子降低.