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杨辉; 赵德刚; 张书明; 朱建军; 冯志宏; 段俐宏; 刘素英;
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;
GaN; 紫外探测器; MOCVD;
机译:具有5对AlGaN-GaN中间层的GaN基肖特基势垒紫外光电探测器
机译:用于高性能深紫外光电探测器的单晶GaN的制备和应用
机译:石墨烯/ AlGaN / GaN紫外肖特基光电探测器的制备与表征
机译:GaN紫外光电探测器的制备技术研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备
机译:基于GaN的探测器技术用于下一代紫外线行星任务。
机译:基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
机译:GaN基半导体发光器件及制备GaN基晶体的方法
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