半导体光电管属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有726篇,会议文献有109篇,学位文献有186篇等,半导体光电管的主要作者有郭维廉、毛陆虹、陈炳若,半导体光电管的主要机构有天津大学电子信息工程学院、重庆光电技术研究所、厦门大学物理系等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: ZnO晶体管具有较高的迁移率和开关比,在电子器件中有广泛的应用.但因其较大的禁带宽度,吸收波长局限在紫外波段限制了其在可见光、红外光电传感器中的应用.本文中尝...
2.[期刊]
摘要: 单光子雪崩二极管以其极高的光子灵敏度以及超快的响应时间在各领域被广泛应用。随着半导体技术的发展,集成多个像素以及时间测量电路的单光子雪崩二极管阵列逐渐普及。成...
3.[期刊]
基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管(英文)
摘要: 提出了一种基于0.35μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增...
4.[期刊]
摘要: 针对传统的硅基辐射探测器在极端环境应用中表现出抗辐照和耐高温能力差的问题,提出并实现了一种采用ZnO单晶制备的肖特基结X射线探测器,并对其各项电学特性进行了测...
5.[期刊]
摘要: 铯铅碘二溴(CsPbI_(2)Br)钙钛矿具备合适的容忍因子与良好的热稳定性,是无机钙钛矿太阳电池的理想材料,而其转化效率低、工艺重复性差的缺陷,阻碍了CsP...
6.[期刊]
新型NiO-Bi_(2)Te_(3)异质结光电探测器的制备与光响应性能研究
摘要: 采用旋涂法制备氧化镍(NiO)薄膜,用化学气相沉积法在其表面生长碲化铋(Bi_(2)Te_(3)),形成NiO/Bi_(2)Te_(3)异质结,采用X射线衍射...
7.[期刊]
摘要: 窄带近红外光探测器因对特定波长有很高的灵敏度,在临床诊断、治疗设备或可穿戴的功能性监测设备等生物医学领域具有广阔的应用前景。文章基于硅基光吸收及肖特基结光生载...
8.[期刊]
摘要: 通过水热法制备了还原氧化石墨烯负载Au纳米复合材料(rGO-AuNPs),结合旋涂法,将其涂覆在单晶硅表面,制备出rGO-AuNPs/n-Si肖特基接触。结果...
9.[期刊]
摘要: 硅基光电倍增管(SiPM)是由数百乃至数千单光子雪崩二极管(SPAD)组成的阵列,它具有增益高、易于集成到阵列以及抗干扰等优点,在激光雷达测距方面具有广泛的应...
10.[期刊]
摘要: 大功率LED光度输出不仅与操作电流大小有关,且受传热过程的时滞时变不确定因素影响难以预测.针对传统机理建模存在参数提取困难、模型适应性弱等缺点,提出基于模糊神...
11.[期刊]
摘要: 文章基于氧化物半导体量子点制备、表征与应用设计了一个综合性实验.通过液相法合成ZnO-MgO核壳量子点,制备了半导体光探测器,并进行了测试分析,使学生能够熟悉...
12.[期刊]
摘要: 硅基光电晶体管在高频通信、自动控制、电力系统领域具有广泛的应用前景.从系统验证和仿真的角度,迫切需要建立光电晶体管的等效电路模型,该模型需要包含电学特性和光学...
13.[期刊]
摘要: 为了提高石墨烯基器件的光电响应性能,采用化学气相沉积法制备单层石墨烯,制备石墨烯/二氧化硅/硅结构器件;采用紫外-可见分光光度计、光学显微镜以及拉曼光谱对石墨...
14.[期刊]
摘要: 混合结构的石墨烯/半导体光电晶体管因其超高的响应度而备受关注.然而,该类光电晶体管通过源-漏电极测试得到的比探测率(D.)容易受到1/f噪声的限制.本文制备了...
15.[期刊]
摘要: 量子点发光二极管(QLEDs)由于具有独特的光电特性,可应用于照明和显示行业,其外量子效率(EQEs)正迅速接近商业化要求.然而,器件的稳定性和工作寿命仍然是...
16.[期刊]
摘要: 大面积高速光电探测器是空间相干光通信系统的核心接收器件之一.通过分析光电二极管载流子运动规律,建立了PIN光电二极管高频等效模型,同时根据微波S参数理论,建立...
17.[期刊]
摘要: 针对传统安时积分法中容量修正模型产生误差的问题,引入电池表面平均温度与平均放电电流作为自变量,将锂电池放电过程中的温升与电流变化考虑在内,提出一种新的容量修正...
18.[期刊]
摘要: 为探讨光电二极管工作机理及其改进潜力,从一款常规光电二极管应用产品的设计入手,采用光敏区尺寸逐渐变大、呈规律性排列的硅光电二级管串联的结构,分析其特性与机理....
19.[期刊]
摘要: 该实验采用溶胶-凝胶技术在玻璃衬底上制备了具有山脊状纹理结构的氧化锌薄膜,将其作为光催化剂,再利用X射线光电子能谱、椭偏仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪等...
20.[期刊]
摘要: 中大功率的LED照明驱动器一般都包含前级Boost PFC变换器。全面比较两种常用的前级Boost PFC变换器——采用SiC二极管的电流连续模式(CCM)的...
1.[会议]
摘要: 本文报导一种高阻区熔硅材料上,发射极带有隔离环结构的NPN双极光晶体管。这种新结构光电晶体管在普通晶体管的基础上,在发射区表面增加一个环状电极,通过所加电压大...
2.[会议]
摘要: 用LPCVD法在n型6H-SiC(0001)面(Si面)上异质沉积了Si薄膜,通过控制B2H6的流量实现Si薄膜的低掺杂和重掺杂.做成了Si/6H-SiC异质...
3.[会议]
摘要: 针对目前行业内三元GaAsP黄色、橙色和琥珀色发光二极管(LED)金电极产品工艺成熟,而铝电极工艺欠缺,专门对三元GaAsP铝电极芯片进行摸索试验,结果在保持...
4.[会议]
摘要: 通过衬底图形化技术,在Si(111)衬底上生长了厚度大于4μm无裂纹的GaN薄膜。采用特殊的AlxGa(1-x)N/AlyGa(1-y)N多层缓冲技术,GaN...
5.[会议]
摘要: 随着LED产业的蓬勃发展,其寿命问题也越来越引人关注。威布尔分布是可靠性工程中常用的一种寿命分布,计算简便,估计精度虽有误差,但在可靠性工程中,这种分析精度已...
6.[会议]
摘要: 以光度学为基础,利用测量和数学计算相结合的办法,研究了色坐标对光参数,特别是对光通量的影响。蓝光芯片加荧光粉,封装成白光后(0.33±0.05,0.33±0....
7.[会议]
摘要: 本文提出一种快速的硅基CMOS光电探测器.采用纵向结构实现对光电探测器中二极管响应速度的提升,通过在光电二极管正面和背面加金属电极,可使入射光产生的光生载流子...
8.[会议]
摘要: 为了更全面、系统地分析硅基Pinned型光电二极管(Pinned photodiode,PPD)量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面Shockley-Read...
9.[会议]
摘要: 纳米片相较于量子点材料,具有更窄的半峰宽,所得的激发光具有更高的纯色性.本文中通过调控合成CdSe纳米片的反应物质量以及投料比,制备出高荧光量子产率的四层结构...
10.[会议]
摘要: 本文采用水热法制备了1维ZnO纳米线,并通过改变ZnO纳米线的取向(横向和竖直)和不同的P型半导体材料,制备了不同的有机-ZnO纳米线混合光电二极管。通过改变...
11.[会议]
摘要: 本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单...
12.[会议]
P-β-FeSi2/n-6H-SiC近红外光电二极管的实验研究
摘要: 为研究p-β-FeSi2/n-6H-SiC异质结近红外光电二极管的特性,采用直流磁控溅射铁硅合金靶、硅靶和铝靶共镀以及后续的快速退火热处理的方法在6H-SiC...
13.[会议]
摘要: 双极晶体发光管(LET)是一种基区发光的双极型晶体管,它结合了PN结LED的发光功能与晶体管的快速开关功能。从而可望实现一种应用于低成本短距离光通信的高速光源...
14.[会议]
摘要: 研制一种用于X光机测试系统的光电探测器电源,为探测器(PIN管)提供负直流电压,同时输出电脉冲信号,也可根据实际使用情况进行电光转换,输出光信号.电源采用电池...
15.[会议]
摘要: 主要分析了常见的几种光电探测器频率响应测试方法的优缺点,并提出了一种改进的光外差干涉方法,可以对DWDM等光通信领域用高速光电探测器的频率响应进行准确测量。
16.[会议]
摘要: 光电二极管是依据内光电效应制成的PN结式的半导体光电器件.本文通过运用量纲分析法,结合其原理,对实验结果进行定性分析.控制相同的电压值,增大光照强度,则因为光...
17.[会议]
摘要: 积极研制和推广低色温的LED光源是防治LED蓝光危害的重要途径之一.文章同时提出了与此相关的准确测量光源及灯具色度技术关键和对相关测色仪器的选型,以保证上述论...
18.[会议]
摘要: 对2个陷阱探测器和一个单片S1337硅光电二极管的角度特性进行了测量。测量结果表明:陷阱探测器在±3°范围内,响应度变化远小于单片S1337硅光电二极管,更适...
19.[会议]
摘要: 光电管作为一种光电探测器件,被广泛的应用在光学测量,辐射探测等领域.针对超快脉冲辐射测量的需求,开发了一种具有超快时间响应、大线性电流输出的新型光电探测器件—...
20.[会议]
摘要: 设计了一个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型,描述硅光电二极管的工作原理。在137Cs-661keV的均匀高能γ场中,对AXUV-100G型硅光电二极管...
1.[学位]
摘要: 光电探测器可以捕获光信号并将其转换为电信号是现代成像和通信应用的基本设备。随着光敏材料和集成技术的发展,光电探测器的功能多样性和生产规模的成熟度已经达到了较高...
2.[学位]
摘要: 有机纳米线是制备高性能微纳光电晶体管的一种应用前景非常广泛的材料。在一维有序纳米结构中,光生电荷的转移可以增强载流子的分离和传输过程,这是提高光电晶体管器件光...
3.[学位]
摘要: 有机光电晶体管(OPTs)相比于二极管而言有更高的灵敏度和更低的噪声,在柔性显示、可穿戴电子等领域存在潜在的应用。目前,一些课题组利用陷阱效应实现高传感性能是...
4.[学位]
摘要: 石墨烯是由单层碳原子密堆成二维蜂窝状晶格结构的一种新型碳材料。石墨烯因为其特殊的原子结构,相比现有的大部分金属和半导体材料,具有极高的载流子迁移率、超高的电子...
5.[学位]
摘要: 光探测成像因在信息传输、环境监测、天文研究以及卫生保健等领域的应用而受到极大的关注。光电晶体管具有场效应晶体管的三电极结构,在降低噪声,放大信号的方面具有优势...
6.[学位]
摘要: 金属氧化物半导体薄膜晶体管(TFTs)在显示领域应用的快速发展,极大的挑战着硅材料在透明显示领域的地位。然而报道多集中于n型氧化物TFTs,p型氧化物薄膜晶体...
7.[学位]
摘要: 体硅由于是间接禁带半导体,因而其发光性能很差。但是当硅晶体的尺寸降为纳米尺寸时,带来了新的光学特性。自从在硅纳米晶镶嵌二氧化硅体系即富硅氧化硅中发现了光增益以...
8.[学位]
摘要: 重掺杂硅由于其独特的表面形貌和良好的宽光谱吸收特性,受到了国内外学者们的广泛关注和深入研究。目前这一新型材料可用于硅基光电探测器、太阳能电池等领域,并将产生革...
9.[学位]
β-FeSi2/4H-SiC异质结光电二极管的制备及其光电特性的改善
摘要: 半导体的迅猛发展肯定是和新材料、新器件的出现密不可分。伴随着6H-、4H-SiC体材料相继商品化,对SiC基光电器件的研究越来越引起了研究者们的普遍关注。4H...
10.[学位]
摘要: 为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,本文采用类似掺杂超晶格的结构,止Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成...
11.[学位]
摘要: 有机光敏二极管(Organic photodiodes,OPDs)因有机材料功能丰感富,光波段可人为调控,器件工艺与制备简单,可在柔性衬底上制备等诸多优点,在...
12.[学位]
摘要: 具有螺环结构的共轭材料一直是有机光电材料设计中不可忽略的一类分子。以最基本的螺双芴(SBF)体系为例,其中心碳原子呈sp3杂化,故而使得两侧共轭平面呈现直角正...
13.[学位]
摘要: 本文深入研究了化合物半导体光电探测器的性能及其结构优化。利用半导体器件仿真工具Silvaco,参考实际器件对PIN型光电二极管、pnp型InGaAs/InP异...
14.[学位]
具有表面等离激元性质的贵金属纳米粒子的多元化可控组装与理论研究
摘要: 表面等离激元光学(plasmonics)结构和器件可以实现在纳米尺度上操纵和利用光子,对发展超小型、高效能光电器件、信息存储器、化学和生物传感器、成像和太阳能...
15.[学位]
摘要: 在现今的图像传感器发展中,CMOS图像传感器在移动平台、低功耗应用中逐渐取代CCD图像传感器的市场份额而成为主流。由于氧化物半导体/Si异质结等Si基异质结光...
16.[学位]
摘要: 单光子探测在量子通信、激光测距、光谱分析等领域均有着广泛的应用,而单光子探测器的时间抖动直接影响了量子密钥分发的误码率与激光测距的精度。为了进一步改善现有单光...
17.[学位]
摘要: 雪崩光电二极管(APD)作为光探测器是光通信系统中的关键器件,与传统的PIN探测器相比,具有内部增益的APD可提供更高的灵敏度,因而一直受到广泛的关注。随着材...
18.[学位]
摘要: 随着全光器件研发技术的日渐革新,光与微纳尺度介质相互作用的研究得到了广泛关注。本文研究内容主要涉及两部分:在电介质微纳材料中提高三次谐波和在金属双缝微腔结构中...