硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究

摘要

该论文在系统总结了国内外GaN材料制备和器件应用的研究历史和现状的基础上,利用我们自行改造的热壁外延设备,对硅衬底上GaN的外延生长和P型掺杂进行了研究,取得了一些阶段性的成果,另外,该文的主要工作是对GaN基紫外探测器进行了初步的研究,迈出了从材料生长到器件应用的第一步.

目录

摘要

Abstract

第一章 前言

第二章 文献综述

2.1 Ⅲ族氮化物的物理性质

2.2 GaN材料的制备方法

2.2.1 GaN体单晶生长

2.2.2 GaN外延生长技术

2.2.3 GaN材料生长技术发展趋势

2.3 GaN材料的掺杂

2.4 GaN材料的器件应用

2.5立题思路和意义

参考文献

第三章 GaN薄膜生长及器件制造工艺

3.1 GaN材料外延生长系统

3.2 GaN材料外延生长

3.2.1衬底的选择

3.2.2衬底的清洗

3.2.3外延生长过程

3.2.4测试手段

3.3 GaN紫外探测器制造工艺

3.3.1金属电极的溅射

3.3.2光刻步骤

参考文献

第四章 Si基GaN外延层的生长及测试分析

4.1样品制备及测试

4.2样品的晶体学分析

4.3样品的发光特性分析

4.4样品的电学分析

4.5小结

参考文献

第五章 Si基GaN的p型掺杂研究

5.1引言

5.2实验过程

5.3实验结果分析和讨论

5.4小结

参考文献

第六章 GaN紫外探测器的初步研究

6.1引言

6.2实验过程

6.3实验结果与讨论

6.4小结

参考文献

第七章 实验结论

致谢

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