首页> 中文期刊> 《发光学报》 >分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜

分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜

         

摘要

用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了p型氧化锌薄膜.在实验中采用高纯金属锌作为zn源、NO作为O源和掺杂源,通过射频等离子体激活进行生长.在生长温度300℃,NO气体流量为1.0 sccm,射频功率为300W的条件下,获得了重复性很好的p型znO,且载流子浓度最大可达1.2×1019cm-3,迁移率为0.053 5 cm2·V-1·s-1,电阻率为9.5 Ω·cm.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2004年第4期|460-462|共3页
  • 作者单位

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O472.3;
  • 关键词

    氧化锌薄膜; p型掺杂; 一氧化氮; 射频等离子体; 分了束外延;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号