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杨帆; 韦敏; 邓宏; 杨胜辉; 刘冲;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;
铜掺杂氧化锌; 阻变开关; 空间电荷限制电流效应;
机译:铜掺杂氧化锌薄膜的氢敏特性
机译:透明阻性随机存取存储器及其非易失性阻变特性
机译:TiO2纳米管光电材料在低温下的阻变特性研究
机译:Gd_2O_3薄膜结构的双极阻变特性
机译:在Na + / TaurocholateCotroansporting多肽(NTCP)中潜在的变阻率,切换和中性位置在潜在的变阻率,切换和中性位置的功能和表达
机译:掺钛ZnO薄膜的双稳态阻变特性
机译:用于非易失性存储器的扫描探针显微镜对铜掺杂氧化锌薄膜中陷阱电荷的电学研究。
机译:铜掺杂锗中的巨负压阻效应
机译:变阻非易失性存储元件的写入方法及变阻非易失性存储装置
机译:形成氧化锌薄膜的方法,由氧化锌薄膜提供的氧化锌薄膜,使用氧化锌薄膜的半导体元件以及形成氧化锌薄膜的装置
机译:使用第III族盐和氧化锌薄膜的氧化锌薄膜的制造方法,该氧化锌薄膜具有为氧化锌薄膜提供优异的光学和电学性能
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