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TiO2纳米管光电材料在低温下的阻变特性研究

机译:TiO2纳米管光电材料在低温下的阻变特性研究

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摘要

选用电化学阳极阳化方法在金属Ti片上生长了TiO2纳米管,并用碳纳米管(CNT)薄膜作为上电级,制作成了CNT/TiO2/Ti三明治形状的纳米器件。测试了样品在各低温下的光电响应特性和电阻特性。研究表明,选用碳纳米管作上电极的TiO2纳米管阵列,在532 nm的激光照射下,其光电导和暗电导特性极大地受到温度的影响。在低温下的光电阻和暗电阻会随着温度的增加而减小,同时暗电流增大,光响应度增强。最后,该器件和作了前置电阻处理后的同类型器件作了简要对比分析。
机译:选用电化学阳极阳化方法在金属Ti片上生长了TiO2纳米管,并用碳纳米管(CNT)薄膜作为上电级,制作成了CNT/TiO2/Ti三明治形状的纳米器件。测试了样品在各低温下的光电响应特性和电阻特性。研究表明,选用碳纳米管作上电极的TiO2纳米管阵列,在532 nm的激光照射下,其光电导和暗电导特性极大地受到温度的影响。在低温下的光电阻和暗电阻会随着温度的增加而减小,同时暗电流增大,光响应度增强。最后,该器件和作了前置电阻处理后的同类型器件作了简要对比分析。

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