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周华;
三甲基铝; Al_xGa; OMVPE; x)As; 铝源; 三乙基铝; 束缚激子; 三基; 化学制剂; 生长速率;
机译:高质量的批量β-GA_2O_3和β-(AL_XGA_(1-x))_ 2O_3晶体:生长和性质
机译:通过金属有机化学气相沉积在具有薄的非线性成分分级的Al_xGa_(1-x)N中间层的Si(111)上生长的高质量GaN外延层
机译:高温金属有机气相外延生长的Mg掺杂高质量Al_xGa_(1-x)N(x = 0-1)
机译:波长可调紫外激光通过OMVPE刺激Al_xGa_(1-x)的生长
机译:通过冷壁热解OMVPE直接生长碲化汞(1-x)镉(x)。
机译:OMVPE制备的GaN外延层的碳掺入与生长速率之间的关系
机译:100nm-Gaas / al_xGa_ {1-x}扫描霍尔探针的噪声特性
机译:在OmVpE和mBE制备的Gaas / al(sub x)Ga(sub 1-x)as异质结构中的内在和界面重组
机译:高质量Rat A层生长方法的选择,高质量Rat A层生长板和高质量Rat A层生长半导体器件
机译:Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体的生长方法以及Al x Sub> Ga 1-x Sub> N晶体衬底
机译:在高质量氮化镓层生长基质上制备的高质量氮化镓层,高质量氮化镓层形成基质和半导体器件的选择性形成
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