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OMVPE生长高质量Al_xGa_1-xAs

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人们所关心的是 OMVPE 的源化学制剂替代物。最常用的铝源是三甲基铝(TMAl),三甲基铝的缺点是有很强的Al—C 键,结果造成明显的碳掺入。三乙基铝是一种替代物,它的碳掺入非常低。但三基铝(TEAl),的缺点是蒸汽压低(55℃时为 0.5乇),因而限制了生长速率,但是这二者均易受高含量

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来源
《液晶与显示》|1991年第3期|P.33-34|共2页
作者
周华;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类液晶显示器件;
关键词
三甲基铝 Al_xGa OMVPE x)As 铝源三乙基铝束缚激子三基化学制剂生长速率;
入库时间 2022-08-20 00:36:03

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