立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长

冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 王海; 段俐宏

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利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al Ga

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来源
《半导体学报》 |2002年第2期|161-164|共4页
作者
冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 王海; 段俐宏;
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作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
MOCVD; 立方相; 砷化镓; 铝镓氮; 外延生长;

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