铜工艺阵列基板上数据线和公共电极不可见的短路原因分析及改善

摘要

本文针对铜工艺TFT-LCD制作过程中遇到的不可见的数据信号线和公共电极信号线短路(DCS),提出切割实验方案,精确定位不可见类型的DCS异常的实际位置.基于数据和失效模式分析结果,设计不同灰化工艺时间膜层形貌观察实验,探究发生机理.本文产出的异常发生机理是灰化过程中反应气体SF6残留在“屋檐状”光刻胶下方对公共电极Cu金属造成腐蚀,在产线湿度高的情况下易加剧腐蚀,腐蚀产物向上生长,后续栅极绝缘层/活性层镀膜无法完全覆盖住腐蚀产物,造成源、漏(Source & Drain,SD)层镀膜后数据线与腐蚀产物相连接,最终形成TFT基板膜层正面不可见的DCS异常.依据以上调查结果进行灰化工艺SF6气体用量、产线相对湿度(RH)、灰化工序至2nd栅极湿刻工序等待时间和设计相关的改善验证,最终通过量产导入灰化工艺SF6气体用量降低、产线相对湿度(RH)降低、缩短灰化工序至2nd栅极湿刻工序等待时间和优化异常发生区域开槽设计以增大间距H等改善措施,大幅减少了不可见类型的DCS异常.