首页> 中文期刊>电子器件 >Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声

Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上,研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性,为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础.

著录项

来源
《电子器件》|2003年第1期|22-24|共3页
作者
廖小平; 张中平;
展开▼
作者单位

东南大学微电子中心,南京,210096;

东南大学微电子中心,南京,210096;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
Si/SiGe/Si HBT; 直流特性; 低频噪声;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. SiGe/Si HBT低频噪声特性研究 [J] . 张万荣 ,高攀 ,金冬月 . 微电子学 . 2006,第1期
2. Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性 [J] . 崔福现 ,张万荣 . 微纳电子技术 . 2003,第10期
3. Si／SiGe／Si HBT直流特性的解析模型与模拟 [J] . 张万荣 ,罗晋生 . 北京工业大学学报 . 1998,第002期
4. 电子辐照SiGe HBT和Si BJT的直流特性分析 [J] . 黄文韬 ,王吉林 ,刘志农 . 核技术 . 2005,第003期
5. SiGe／Si HBT的直流特性分析 [J] . 张时明 ,倪卫新 . 北京工业大学学报 . 1996,第004期
6. 应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化 [C] . 薛春来 ,时文华 ,成步文 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
7. 基于集成电路工艺的SiGe HBTs及其高频噪声特性 [A] . 高攀 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号