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互连线工艺中铝上窜至VIA的研究

     

摘要

讨论一种发生在铝互连线工艺中的较为少见的VIA(通孔)失效现象:淀积VIA氮化钛阻挡层后出现下层铝的上窜.通过对于失效的VIA进行失效分析,我们在VIA孔底部发现了一层变异的金属层.EDS成分分析显示它的主要成分是铝,并包含一些钛化铝的成分.这种VIA失效现象的根本成因是在淀积VIA氮化钛阻挡层时,下面金属层的铝被挤入至VIA孔导致VIA的主要填充成分钨无法顺利填入.

著录项

  • 来源
    《电子器件》|2007年第5期|1580-15821586|共4页
  • 作者

    姜晨; 刘恩峰; 徐锋;

  • 作者单位

    上海交通大学微电子学院,上海,200040;

    中芯国际集成电路制造有限公司,上海,201203;

    上海交通大学微电子学院,上海,200040;

    中芯国际集成电路制造有限公司,上海,201203;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 引线技术;
  • 关键词

    通孔; 铝上窜; 氮化钛;

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