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郭天雷; 韩郑生; 海潮和; 周小茵; 李多力; 赵立新;
中国科学院微电子研究所,北京,100029;
总剂量辐照; 静态随机存储器; 工艺集成; 加固;
机译:深亚微米PDSOI NMOS的总剂量辐射模型
机译:总电离剂量辐照对130nm浮体PDSOI NMOSFET的影响
机译:Co-60辐照对闪光存储器总剂量响应的方向依赖性
机译:总剂量辐照后400V超薄SOI NLDMOS的电学特性
机译:混凝土不锈钢加固腐蚀的形态与检测=混凝土中不锈钢加固腐蚀的形态及检测。
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量在10分数中具有42 Gy的更高毒性:II级剂量递增试验的结果
机译:在非常高的总剂量辐射环境下加固电子设备
机译:pDsOI和辐射效应:概述
机译:确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量法,以及扩大辐照期间可测量吸收辐射剂量上限的方法
机译:确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
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