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吴晓鸫; 周川淼;
中国电子科技集团第58研究所,江苏,无锡,214035;
存储器; ONO; I-V特性; IPD;
机译:用于导出短期存储器微电路的结构和功能体系结构的建模框架
机译:带ONO BOX的FinFET用于多位统一存储器
机译:优化的ONO厚度,用于多层选择门(WSG)SONOS存储器的多级和2位/单元操作
机译:用于嵌入式闪存技术的本地化ONO存储器(LONOM)的完全集成和特性
机译:用于读出集成电路,存储器架构和神经形态系统的忆阻器器件建模和电路设计。
机译:用于推导短期存储器微电路的结构和功能架构的建模框架
机译:在SONOS非易失性存储器件中的ONO植入引起的ono破裂
机译:用于与Josephson数字电路接口的4K工作的新型存储器结构
机译:研究流体特性并生产用于研究流体特性的pol挤压设备的方法,用于生产pol的设备,用于监测从第一产品规格向第二产品规格过渡的方法和设备在聚合过程中,以及pol u00ecmero的产物
机译:在双极模块存储器单元上布置多个电路装置-模块存储器单元具有用于特性曲线的控制电路-存储器单元的适配
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