I-V特性
I-V特性的相关文献在1989年到2022年内共计218篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、电工技术
等领域,其中期刊论文176篇、会议论文26篇、专利文献40389篇;相关期刊106种,包括功能材料、太阳能、太阳能学报等;
相关会议21种,包括第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议、2009年中国计量测试学会光辐射计量学术研讨会、第六届电子产品防护技术研讨会等;I-V特性的相关文献由707位作者贡献,包括吴丽君、林培杰、程树英等。
I-V特性—发文量
专利文献>
论文:40389篇
占比:99.50%
总计:40591篇
I-V特性
-研究学者
- 吴丽君
- 林培杰
- 程树英
- 陈志聪
- 蔡理
- 于军
- 李思渊
- 王华
- 王良臣
- 陈学军
- 陈庭金
- 介万奇
- 涂洁磊
- 王履芳
- 马书懿
- 刘博
- 刘瑞喜
- 刘磁辉
- 刘肃
- 王超
- 胡明
- 马忠权
- 马自军
- 马逊
- 鲁正雄
- 严丽红
- 何国荣
- 何波
- 何红波
- 余辉
- 傅竹西
- 傅莉
- 刘刚
- 刘志强
- 刘梅冬
- 刘祖明
- 刘英斌
- 叶志镇
- 司俊杰
- 吴勇标
- 吴培亨
- 吴小虎
- 吴春瑜
- 周文利
- 周松林
- 周继承
- 孙晓玮
- 孙浩
- 孙铁署
- 孙鹏
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余辉;
陈志聪;
郑巧;
吴丽君;
程树英;
林培杰
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摘要:
为了提高光伏组件模型的准确度和可靠性,提出一种利用多层感知机和不同工况下实测的I-V特性曲线数据集的建模新方法.首先,使用双线性插值法对实测I-V曲线进行重采样,以提高I-V曲线上数据点分布的均匀性;然后使用基于温度-辐照度的网格采样法对数据集进行下采样,降低数据冗余度.其次,提出一种基于多层感知机神经网络的光伏组件模型,并基于预处理的I-V曲线数据集,使用Adam算法训练该模型.最后,采用实测I-V特性曲线数据集,验证和测试了所提出的建模方法,并与支持向量机、梯度提升决策树等机器学习算法进行对比.实验结果证明,所提出的建模方法具有更高的精度和泛化性能.
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何雯瑾;
信思树;
钟科;
柴圆媛;
黎秉哲;
杨文运;
太云见;
袁俊
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摘要:
针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析.测试结果表明:Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3~0.5μm下响应率大于0.2 A/W,对3~5μm红外波长的平均透过率大于80%,很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求.
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陈思铭;
孙韵琳;
王小杨;
马武兴
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摘要:
本文以一座建设于沿海地区并遭受了台风灾害的地面光伏电站为例,利用电致发光(EL)检测和I-V特性测量等方式,考察了在遭受台风灾害后该光伏电站中光伏组件的输出功率变化情况;并且为了满足灾后定损评估的需求,本文采用t检验方法对测试数据及结果进行了更深入地统计和分析,以评价不同受灾程度光伏组件的输出功率衰减程度.结果表明:因台风造成的光伏组件隐裂可能不会立即导致光伏组件输出功率的衰减,而海水浸泡则会在短时间内加速光伏组件的老化.由此可知,对遭受类似灾害侵袭的光伏电站进行灾后定损评估时,应更加关注光伏组件的浸水问题,尤其是由成分复杂的洪水浸泡导致的光伏组件输出功率衰减问题.
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李霞;
张盛东;
王静;
张浩力;
张福甲
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摘要:
本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光电流也越小。
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易芳
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摘要:
为研究硅光电器件的性能,对基于最小二乘法的硅二极管伏安(I-V)特性建模进行研究.分析二极管的I-V特性,采用多项式回归分析算法对实验测量的非线性数据集进行拟合,通过最小二乘法推定系数来构造其矩阵,求取反应硅二极管I-V特性的数学模型参数,通过预测值与实际测量值之间的误差分析来验证算法拟合经验公式的准确性.结果表明,该算法和程序可广泛应用于非线性数据集的多项式回归分析中.
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师楠;
朱显辉;
苏勋文
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摘要:
精准的光伏电池输出数学模型是研究光伏系统的必要条件,然而由于厂家提供的数据有限,铜铟镓硒(CIGS)薄膜光伏电池的输出数学模型是包含若干未知参数的非线性特性曲线.因此提出仅利用厂家提供的有限数据,对CIGS薄膜光伏电池的电流-电压输出特性曲线,即I-V曲线进行拟合.首先利用Bezier曲线选取函数控制点,对CIGS薄膜光伏电池的I-V曲线进行拟合;然后找出Bezier曲线控制点位置与CIGS薄膜光伏电池的填充因子之间的函数关系;最后,利用4种新型CIGS薄膜光伏电池对该函数关系进行验证,并对结果进行了对比分析.分析结果表明,所提方法对4种CIGS薄膜光伏电池的I-V曲线的拟合方法的平均相对误差均小于0.8%,验证了所提方法的有效性.
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李瑞东;
邓金祥;
张浩;
孙俊杰;
张杰;
张晓霞;
庄需芹
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摘要:
采用物理气相沉积方法制备了质量比为2∶1的Rubrene∶MoO3混合薄膜,研究了混合薄膜的光学性质和电学性质.结果表明:随着衬底温度的升高,混合薄膜的光学带隙变窄,说明MoO3诱导Rubrene产生中间能级,形成电荷转移复合物.随着衬底温度的升高,混合薄膜与金属电极形成欧姆接触,增强了混合薄膜的导电性.
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张森;
国凤云;
刘波;
冯志宏;
赵连城
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.
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张森;
国凤云;
刘波;
冯志宏;
赵连城
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.
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张森;
国凤云;
刘波;
冯志宏;
赵连城
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.
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张森;
国凤云;
刘波;
冯志宏;
赵连城
- 《第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2010年
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摘要:
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采用这种结构制备的D-c AIInN/GaN HEMT最大输出电流为980maA/mm。D-c AIInN/GaN HEMT具有良好的栅控能力,夹断电压为-6.2V,当栅压为-2V和-4V时存在两个跨导极值点。另外,本文研究了未钝化的D-C AIInN/GaN HEMT中表面态对两个沟道中二维电子气(2DEG)的影响.
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