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王任卿; 张万荣; 金冬月; 陈亮; 丁春宝; 肖盈; 孙博韬; 赵昕;
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124;
SiGe HBT; 热模拟; 分段结构; 自热效应;
机译:基于SiGe纳米结构的TERAHERTZ发射极和探测器
机译:C对具有IDP发射极的单多晶硅SiGe:C HBT的发射极基极设计的影响
机译:多晶硅发射极SiGe基双极晶体管-当Ge进入发射极时会发生什么?
机译:分段发射极指和分段间距不均匀的SiGe HBT的设计和热分析
机译:碳纳米管支柱阵列场发射极几何结构对增加电流密度的实证研究。
机译:手指-物体界面处的摩擦力对多指感知中手指力的影响
机译:p-Si / SiGe量子阱发射极结构中的皮秒子带间动力学
机译:基于si / siGe超晶格和硅化物/ siGe肖特基势垒的红外探测器工作在12um以上。
机译:SiGe异质结双极晶体管多指结构
机译:基于手指的特征和多指按键执行命令或输入数据的方法和装置
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