退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
齐海涛; 冯震; 李亚丽; 张雄文; 郭维廉;
天津大学电子信息工程学院,天津,300072;
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;
谐振隧穿晶体管(RTT); 负阻; 自对准工艺;
机译:利用谐振隧穿二极管/高电子迁移率晶体管集成技术的高速和低功率源耦合场效应晶体管逻辑型不归零延迟触发器电路
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:对单栅,双栅和全栅隧穿隧道场效应晶体管进行建模
机译:II型能带对准的氧化物半导体/(Si,SiGe,Ge)双层隧穿场效应晶体管的建议和演示
机译:使用非自对准栅工艺的替代栅叠层的制造和器件表征。
机译:基于双栅隧穿晶体管的无电容DRAM垫片工程优化
机译:利用双栅控制改善顶栅自对准非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章
机译:具有与隧穿势垒对准的栅电极的横向谐振隧穿器件
机译:用单个窄栅电极形成带间横向谐振隧穿晶体管的方法
机译:半导体器件,即用作开关的功率晶体管,具有浮栅,以基于栅的编程或擦除状态以及隧穿栅编程和/或擦除浮栅来控制电流在源极和漏极区域之间的流动。
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。