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宋瑞良; 毛陆虹; 郭维廉; 谢生; 齐海涛; 张世林; 梁惠来;
天津大学电信学院,天津,300072;
南开大学光电子所,天津,300071;
共振隧穿三极管(RTT); 器件模型; 肖特基接触;
机译:具有分离的包含不同隧穿氧化物厚度的双栅鳍式场效应晶体管结构的纳米级两比特非常规型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅非易失性存储器件的仿真
机译:具有超薄栅极氧化物的NMOS器件的封闭式分区栅隧穿电流模型
机译:带有石墨烯栅电极的金属氧化物半导体器件中的栅隧穿电流和量子电容
机译:低SS高I ON inf> / I OFF inf>的自耗尽T栅肖特基势垒隧穿FET的物理电流模型
机译:使用共振隧穿二极管和肖特基光电二极管在高速微电子学上打破世界纪录。
机译:单个铁磁体/ Nb:SrTiO3肖特基器件中的大型室温隧穿各向异性磁阻和电阻率
机译:包括肖特基二极管模型的底栅耗尽型纳米线场效应晶体管(NWFET)模型
机译:少数电子侧向共振隧穿半导体器件。合同号N00014-89-C-0091。
机译:半导体器件,绝缘栅型场效应晶体管和肖特基栅型场效应晶体管
机译:半导体器件,即用作开关的功率晶体管,具有浮栅,以基于栅的编程或擦除状态以及隧穿栅编程和/或擦除浮栅来控制电流在源极和漏极区域之间的流动。
机译:具有减小的隧穿面积的电可变,非易失性,浮栅型存储器件及其制造
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