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郭维廉;
天津工业大学信息与通讯工程学院;
专用集成电路国家级重点实验室;
石家庄050051;
天津大学电子信息工程学院;
天津300072;
RTT; 栅型RTT(GRTT); RTBT; RTD/HEMT型RTT;
机译:应变通过界面共振隧穿增强磁性隧穿结中的塞贝克效应:从头算研究
机译:GaN / AlN共振隧穿二极管中的431 kA / cm〜2峰值隧穿电流密度
机译:共振隧穿动力学及其相关的隧穿时间
机译:基于过渡金属二卤化物的层间隧穿场效应晶体管中单粒子共振隧穿的全带模拟
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:置换缺陷对基于扶手椅石墨烯和氮化硼纳米带横向异质结的共振隧穿二极管的影响
机译:少数电子侧向共振隧穿半导体器件。合同号N00014-89-C-0091。
机译:共振隧穿装置及使用该共振隧穿装置的半导体集成电路
机译:热电子器件和共振隧穿热电子器件
机译:具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(TMR)器件
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