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宋瑞良; 毛陆虹; 郭维廉; 梁惠来; 张世林;
天津大学电子信息工程学院;
肖特基栅共振隧穿三极管; 器件模拟; 单稳-双稳转换逻辑电路单元;
机译:带有石墨烯栅电极的金属氧化物半导体器件中的栅隧穿电流和量子电容
机译:非对称双口袋和栅漏下叠对肖特基势垒隧穿FET的影响:双极性传导与高频性能
机译:轻掺杂肖特基势垒双栅金属氧化物场的二维分析计算和隧穿/热电子电流的估计
机译:基于过渡金属二卤化物的层间隧穿场效应晶体管中单粒子共振隧穿的全带模拟
机译:共振隧穿和带内隧穿二极管中电子传输的NEGF模拟
机译:单个铁磁体/ Nb:SrTiO3肖特基器件中的大型室温隧穿各向异性磁阻和电阻率
机译:嵌入Inas / Gaas量子点的电子共振隧穿 具有alas插入层的肖特基二极管
机译:少数电子侧向共振隧穿半导体器件。合同号N00014-89-C-0091。
机译:具有与隧穿势垒对准的栅电极的横向谐振隧穿器件
机译:半导体器件,即用作开关的功率晶体管,具有浮栅,以基于栅的编程或擦除状态以及隧穿栅编程和/或擦除浮栅来控制电流在源极和漏极区域之间的流动。
机译:肖特基势垒量子阱共振隧穿晶体管
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