联华电子与意法半导体携手开发65纳米BSI CMOS影像传感器制程

摘要

联华电子日前寅布，与意法半导体合作开发65纳米CMOS影像传感器背面照度BSI技术。双方先前已在联华电子新加坡Fab 12i厂顺利研发出意法半导体的前面照度式FSI制程，在之前成功经验的基础上，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关系。