封装过程中装片后烘烤机理及改善方法探讨

摘要

本文探讨并验证了IC封装工序装片后烘烤过程的机理,结合烘烤后失重曲线的分析,重新设计了烘烤升温曲线(烘烤固化)、氮气保护(防止铜材氧化)、抽风(排出挥发物)等工艺参数.验证结果表明,重新设计后的烘烤过程,克服了装片胶挥发污染、铜材氧化这两个对产品可靠性影响最关键的不利因素,降低了装片烘烤工艺对产品可靠性的影响.