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Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1
Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1
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1.
Interfacial Structure of Photoresist Thin Films in Developer Solutions
机译:
显影液中光刻胶薄膜的界面结构
作者:
Vivek M. Prabhu
;
Bryan D. Vogt
;
Wen-li Wu
;
Jack F. Douglas
;
Eric K. Lin
;
Sushil K. Satija
;
Dario L. Goldfarb
;
Hiroshi Ito
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
resist swelling;
developer;
dissolution;
LER;
reflectivity;
2.
Dissolution behavior of resist polymers studied using quartz crystal microbalance method
机译:
用石英晶体微天平法研究抗蚀剂聚合物的溶解行为
作者:
Minoru Toriumi
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
polymer;
resist;
development;
dissolution;
swelling;
quartz crystal microbalance;
QCM;
transmission-line analysis;
3.
Evaluation of Functional Properties of Imaging Materials for Water Immersion Lithography
机译:
用于水浸光刻的成像材料的功能特性评估
作者:
W. D. Hinsberg
;
J. A. Hoffnagle
;
G. M. Wallraff
;
C. E. Larson
;
F. A. Houle
;
L. Sundberg
;
H. D. Truong
;
B. W. Davis
;
R. D. Allen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
chemically amplified resists;
immersion;
resolution;
leaching;
line-edge roughness;
4.
193nm Single Layer Photoresists: Defeating Tradeoffs with a New Class of Fluoropolymers
机译:
193nm单层光刻胶:新型氟聚合物克服了折衷方案
作者:
P. R. Varanasi
;
R. W. Kwong
;
M. Khojasteh
;
K. Patel
;
K-J. Chen
;
W. Li
;
M. C. Lawson
;
R. D. Allen
;
R. Sooriyakumaran
;
P. Brock
;
L. K. Sundberg
;
M. Slezak
;
G. Dabbagh
;
Z. Liu
;
Y. Nishimura
;
T. Chiba
;
T. Shimokawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
193nm photoresists;
methacrylate polymers;
hexafluoroalcohol;
ArF lithography;
immersion;
5.
32nm Node Technology Development using Interference Immersion Lithography
机译:
使用干涉浸没光刻技术开发32nm节点技术
作者:
Harry Sewell
;
Diane McCafferty
;
Louis Markoya
;
Eric Hendrickx
;
Jan Hermans
;
Kurt Ronse
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
32nm node;
38nm node;
high-n immersion fluids;
ArF immersion lithography;
193nm immersion lithography;
6.
193nm dual layer organic B.A.R.C.S for high NA immersion lithography
机译:
193nm双层有机B.A.R.C.S,用于高NA浸没式光刻
作者:
D. J. Abdallah
;
M. Neisser
;
R. R. Dammel
;
G. Pawlowski
;
S. Ding
;
F. M. Houlihan
;
A. R. Romano
;
J. J. Biafore
;
A. Raub
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
ArF;
high-NA;
bottom anti-reflective coatings;
dual layers;
7.
A New 193nm Resist
机译:
新型193nm抗蚀剂
作者:
Toshiaki Fukuhara
;
Taku Hirayama
;
Yuji Shibasaki
;
Shinji o
;
Mitsuru Ueda
;
Masayuki Endo
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
chemically amplified resist;
193 nm photoresists;
poly(vinyl sulfonamide);
photoacid generator;
8.
A New Monocyclic Fluoropolymer for 157-nm 193-nm Photoresists
机译:
用于157 nm和193 nm光阻的新型单环含氟聚合物
作者:
Takashi Sasaki
;
Yoko Takebe
;
Osamu Yokokoji
;
Akihiko Otoguro
;
Kiyoshi Fujii
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
fluoropolymer;
ArF lithography;
F_2 lithography;
transparency;
dissolution rate;
dry-etching resistance;
co-polymerization;
methacrylates;
adamantyl moiety;
9.
Area selective atomic layer deposition: Use of lithographically defined polymer masking layers for the deposition of titanium dioxide
机译:
区域选择性原子层沉积:使用光刻定义的聚合物掩膜层沉积二氧化钛
作者:
Ashwini Sinha
;
Dennis W. Hess
;
Clifford L. Henderson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
atomic layer deposition;
titanium dioxide;
area selective;
polymer;
masking layer;
10.
Basic aspects of acid generation processes in chemically amplified resists for electron beam lithography
机译:
用于电子束光刻的化学放大抗蚀剂中酸生成过程的基本方面
作者:
Takahiro Kozawa
;
Seiichi Tagawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
chemically amplified resist;
low energy electron;
resolution;
sensitivity;
acid distribution;
11.
Origin of LER and Its Solution
机译:
LER的起源及其解决方案
作者:
Geunsu Lee
;
Tae-Seung Eom
;
Cheolkyu Bok
;
Changmoon Lim
;
Seung-Chan Moon
;
Jinwoong Kim
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
LER;
LWR;
ArF lithography;
photoresist;
mask;
12.
Using Mesoscale Simulation to Explore Photoresist Line Edge Roughness
机译:
使用中尺度模拟探索光刻胶线边缘粗糙度
作者:
Jason E. Meiring
;
Timothy B. Michaelson
;
rew T. Jamieson
;
Gerard M. Schmid
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
mesoscale simulation;
photoresist;
line edge roughness;
base quenchers;
acid diffusion;
13.
Top antireflective coating process for immersion lithography
机译:
浸没式光刻的顶级抗反射涂层工艺
作者:
Jae Chang Jung
;
Sung Koo Lee
;
Keun Do Ban
;
Seo Min Kim
;
Cheolkyu Bok
;
Chang Moon Lim
;
Seung Chan Moon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
ArF;
immersion;
lithography;
top antireflective;
defect;
buffer function;
quencher;
14.
Resist Component Leaching In 193 nm Immersion Lithography
机译:
193 nm浸没光刻法中的抗蚀剂组分浸出
作者:
Ralph R. Dammel
;
Georg Pawlowski
;
rew Romano
;
Frank M. Houlihan
;
Woo-Kyu Kim
;
Raj Sakamuri
;
David Abdallah
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
immersion lithography;
photoresist;
PAG leaching;
kinetics;
leaching rate;
15.
Progress Towards Developing High Performance Immersion Compatible Materials and Processes
机译:
在开发高性能浸入兼容材料和工艺方面取得的进展
作者:
Karen Petrillo
;
Kaushal Patel
;
Rex Chen
;
Wenjie Li
;
Ranee Kwong
;
Peggy Lawson
;
Rao Varanasi
;
Chris Robinson
;
Steven Holmes
;
Dario Gil
;
Kurt Kimmel
;
Mark Slezak
;
Gary Dabbagh
;
Takashi Chiba
;
Tsutomu Shimokawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
immersion lithography;
photoresist;
top coat;
defects;
16.
Studies of Acid Diffusion in Low Ea Chemically Amplified Photoresists
机译:
低Ea化学放大光刻胶中酸扩散的研究
作者:
G. M. Wallraff
;
D. R. Medeiros
;
C. E. Larson
;
M. Sanchez
;
K. Petrillo
;
W-S. Huang
;
C. Rettner
;
B. Davis
;
L. Sundberg
;
W. D. Hinsberg
;
F. A. Houle
;
J. A. Hoffnagle
;
D. Gold-farb
;
K. Temple
;
J. Bucchignano
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
chemically amplified resist;
high resolution imaging;
image blur;
post-exposure bake;
17.
Silsesquioxane-based 193 nm bilayer resists: characterization and lithographic evaluation
机译:
基于倍半硅氧烷的193 nm双层抗蚀剂:表征和光刻评估
作者:
Hiroshi Ito
;
Hoa D. Truong
;
Sean D. Burnsb
;
Dirk Pfeifferb
;
Wu-Song Huangc
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
193 nm lithography;
bilayer resists;
fluoroalcohol;
chemical amplification;
quartz crystal microbalance;
dissolution kinetics;
hydrogen bonding;
deprotection;
silanol condensation;
18.
Tailoring thermal property of ArF resists resins through monomer structure modification for sub-70 nm contact hole application by reflow process
机译:
通过回流工艺在70 nm以下的接触孔中应用单体结构改性,可调整ArF的耐热性,从而抵抗树脂
作者:
Ichiki Takemoto
;
Youngjoon Lee
;
Yusuke Fuji
;
Isao Yoshida
;
Kazuhiko Hashimoto
;
Takayuki Miyagawa
;
Satoshi Yamaguchi
;
Kenji Takahashi
;
Shinji Konishi
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
ArF resists;
methacrylate copolymers;
reflow process;
contact hole;
sub-70nm;
Tg;
flexible units;
19.
Synthesis of fluorinated materials for 193-nm immersion lithography and 157-nm lithography
机译:
用于193 nm浸没式光刻和157 nm光刻的氟化材料的合成
作者:
T. Yamashita
;
T. Ishikawa
;
T. Yoshida
;
T. Hayamai
;
T. Araki
;
H. Aoyama
;
T. Hagiwara
;
T. Itani
;
K. Fujii
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
157-nm lithography;
193-nm lithography;
193-nm immersion lithography resist;
tetrafluoroethylene;
fluoropolymer;
hexafluoroisopropanol;
quartz crystal microbalance (QCM);
cover material;
20.
The effect of film thickness on the dissolution rate and hydrogen bonding behavior of photoresist polymer thin films
机译:
膜厚对光致抗蚀剂聚合物薄膜溶解速率和氢键行为的影响
作者:
Lovejeet Singh
;
Peter J. Ludovice
;
Clifford L. Henderson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
polymer;
dissolution rate;
film thickness;
hydrogen bond;
novolac;
poly(hydroxystyrene);
polynorbornene;
21.
Novel chemical shrinkage material for small contact hole and small space patterning
机译:
用于小接触孔和小空间图案的新型化学收缩材料
作者:
Mitsuhiro Hata
;
Jung-Hwan Hah
;
Hyun-Woo Kim
;
Man-Hyoung Ryoo
;
Sang-Gyun Woo
;
Han-Ku Cho
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
inter-polymer complex;
zipper gel;
chemical shrinkage material;
contact holes;
RELACS;
SAFIER;
22.
Nanomolecular Resists with Adamantane Core for 193-nm Lithography
机译:
具有金刚烷核的纳米分子抗蚀剂,用于193 nm平版印刷
作者:
Jin-Baek Kim
;
Tae-Hwan Oh
;
Kyoungmi Kim
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
nanomolecular resist;
adamantane;
cholate;
193-nm lithography;
23.
Molecular Resists Based on Polyhedral Oligomeric Silsesquioxanes (POSS)
机译:
基于多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)的分子抗蚀剂
作者:
Ratnam Sooriyakumaran
;
Hoa Truong
;
Linda Sundberg
;
Mark Morris
;
Bill Hinsberg
;
Hiroshi Ito
;
Robert Allen
;
Wu-Song Huang
;
Dario Goldfarb
;
Sean Burns
;
Dirk Pfeiffer
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
silsesquioxanes;
POSS;
molecular resists;
molecular glasses;
non-polymeric;
macromolecules;
bilayer;
193-nm lithography;
e-beam lithography;
chemically amplified resists;
24.
Material Design for Immersion Lithography with High Refractive Index Fluid (HIF)
机译:
高折射率流体(HIF)浸没式光刻的材料设计
作者:
Takashi Miyamatsu
;
Yong Wang
;
Motoyuki Shima
;
Shiro Kusumoto
;
Takashi Chiba
;
Hiroki Nakagawa
;
Katsuhiko Hieda
;
Tsutomu Shimokawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
immersion lithography;
193nm;
high refractive index fluid;
topcoat;
resists;
transparency;
contact angle;
25.
Materials for Future Lithography
机译:
未来光刻的材料
作者:
Seung Wook Chang
;
Da Yang
;
Junyan Dai
;
Nelson Felix
;
Daniel Bratton
;
Kousuke Tsuchiya
;
Young-Je Kwark
;
Juan-Pablo Bravo
;
Christopher K. Ober
;
Heidi B. Cao
;
Hai Deng
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
EUV resists;
EUV lithography;
calix4resorcinarene;
E-beam lithography;
4-4-1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl-α;
α-dimethylbenzylphenol;
26.
Impact of Water and Top-coats on Lithographic Performance in 193-nm Immersion Lithography
机译:
水和面漆对193 nm浸没式光刻中光刻性能的影响
作者:
Shinji Kishimura
;
Roel Gronheid
;
Monique Ercken
;
Mireille Maenhoudt
;
Takahiro Matsuo
;
Masayuki Endo
;
Masaru Sasago
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
immersion;
193-nm;
water;
resist;
top-coat;
defectivity;
RDA;
QCM;
GSP;
TOF-SIMS;
27.
All i-line lift-off T-gate process and materials
机译:
所有i-line提升式T型浇口的工艺和材料
作者:
Medhat A. Toukhy
;
Ping-Hung Lu
;
Salem K. Mullen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
i-line;
resist;
T-gate;
lift-off;
GaAs;
28.
Understanding quencher mechanisms by considering photoacid-dissociation equilibrium in chemically-amplified resists
机译:
通过考虑化学放大抗蚀剂中的光酸离解平衡来了解淬灭剂机理
作者:
Seiji Nagahara
;
Lei Yuan
;
Wojtek Jacob Poppe
;
rew Neureuther
;
Yoshiyuki Kono
;
Atsushi Sekiguchi
;
Koichi Fujara
;
Tsuyoshi Gary Watanabe
;
Kazuo Taira
;
Shiro Kusumoto
;
Takanori Nakano
;
Tsutomu Shimokawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
quencher mechanism;
chemically-amplified resist;
FTIR;
strength of acid;
full-dissociation;
acid-equilibrium-quencher (AEQ) model;
acid dissociation;
STORM;
resist simulator;
29.
Understanding the Photoresist Surface-Liquid Interface for ArF Immersion Lithography
机译:
了解ArF浸没光刻的光刻胶表面-液体界面
作者:
Will Conley
;
Robert J. LeSuer
;
Frank F. Fan
;
Allen J. Bard
;
Chris Taylor
;
Pavlos Tsiartas
;
Grant Willson
;
rew Romano
;
Ralph Dammel
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
30.
Water distribution within immersed polymer films
机译:
浸没聚合物薄膜中的水分布
作者:
Bryan D. Vogt
;
Christopher L. Soles
;
Vivek M. Prabhu
;
Sushil K. Satija
;
Eric K. Lin
;
Wen-li Wu
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
photolithography;
immersion lithography;
thin films;
31.
Resist Materials for Advanced Lithography
机译:
光刻胶材料
作者:
Theodore H. Fedynyshyn
;
Roger F. Sinta
;
Indira Pottebaum
;
Alberto Cabral
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
photoresist;
line edge roughness;
calixarenes;
32.
Resist Development Status for Immersion Lithography
机译:
浸没式光刻胶的显影状态
作者:
Hiromitsu Tsuji
;
Masaaki Yoshida
;
Keita Ishizuka
;
Tomoyuki Hirano
;
Kotaro Endo
;
Mitsuru Sato
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
immersion lithography;
chemically amplification positive-tone resist;
elution;
photo acid generator (PAG);
33.
Study of 157 nm Resists with Full Field Exposure Tools
机译:
用全场曝光工具研究157 nm抗蚀剂
作者:
Yayi Wei
;
Nickolay Stepanenko
;
Michael Sebald
;
Christoph Hohle
;
Francis Houlihan
;
Raj Sakamuri
;
Alla Dimerli
;
rew Romano
;
Ralph R. Dammel
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
157 nm lithography;
157 nm photoresist;
full field exposure tool;
amine barrier coat;
34.
Study of Barrier Coats for Application in Immersion 193 nm Lithography
机译:
浸入式193 nm光刻中的阻隔涂层的研究
作者:
Francis Houlihan
;
Wookyu Kim
;
Raj Sakamuri
;
Keino Hamilton
;
Alia Dimerli
;
David Abdallah
;
rew Romano
;
Ralph R. Dammel
;
Georg Pawlowski
;
Alex Raub
;
Steve Brueck
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
193 nm immersion;
barrier coat;
35.
Study and Control of the Interfacial Mass Transfer of Resist Components in 193nm Immersion Lithography
机译:
193nm浸没式光刻技术中抗蚀剂组分界面传质的研究与控制
作者:
Shinichi Kanna
;
Haruki Inabe
;
Kei Yamamoto
;
Shinji Tarutani
;
Hiromi Ka
;
Kazuyoshi Mizutani
;
Kazuyuki Kitada
;
Seiji Uno
;
Yasumasa Kawabe
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
mass transfer;
leaching;
topcoat;
non-topcoat;
immersion lithography;
36.
The Effects of Chemical Gradients and Photoresist Composition on Lithographically Generated Line Edge Roughness
机译:
化学梯度和光刻胶成分对光刻产生的线边缘粗糙度的影响
作者:
Timothy B. Michaelson
;
Adam R. Pawloski
;
Alden Acheta
;
Yukio Nishimura
;
C. Grant Willson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
base quencher;
contrast;
line edge roughness;
image fading;
asymmetric magnification;
chemically amplified photoresist;
photolithography;
acid diffusion;
base diffusion;
intrinsic bias;
37.
Pattern Collapse and Line Width Roughness Reduction by Surface Conditioner Solutions for 248nm Lithography
机译:
通过表面调节剂解决方案降低248nm光刻的图案塌陷和线宽粗糙度
作者:
Peng Zhang
;
Madhukar B. Rao
;
Manuel Jaramillo
;
Jr.
;
Bridget Horvath
;
Brenda Ross
;
Ted Paxton
;
Todd Davis
;
Pat Cook
;
David Witko
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
surface conditioners;
surfactants;
pattern collapse;
line width roughness;
process latitude;
248nm resists;
38.
Photoresists for CO_2-based next-generation microlithography
机译:
用于基于CO_2的下一代微光刻的光刻胶
作者:
Mary Kate Boggiano
;
Colin Wood
;
Joseph M. DeSimone
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
condensed CO_2;
addition polymerization;
photoresist synthesis;
norbornene;
free-radical polymerization;
39.
New Shrinkage Technology for Nano-Contact Hole Formation
机译:
纳米接触孔形成的新收缩技术
作者:
Geunsu Lee
;
Jungwoo Park
;
Wonwook Lee
;
Cheolkyu Bok
;
Changmoon Lim
;
Sungchan Moon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
40.
Material Design and Evaluation of Nanocomposite resist for Next Generation Lithography
机译:
下一代光刻纳米复合抗蚀剂的材料设计与评价
作者:
Kenneth E. Gonsalves
;
Muthiah Thiyagarajan
;
Kim Dean
;
Patricia Santiago
;
L. Rendon
;
Augustin Jeyakumar
;
Clifford L. Henderson
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
KrF lithography;
E-beam lithography;
resist;
adamantyl methacrylate;
hydroxystyrene;
nanocomposites;
41.
Organosiloxane based Bottom Antireflective Coatings for 193nm Lithography
机译:
用于193nm平版印刷的有机硅氧烷基底部减反射涂层
作者:
Bo Li
;
Kim Do
;
Jason Stuck
;
Songyuan Xie
;
Roger Leung
;
Tiffany Nguyen
;
Jaswinder Gill
;
Lei Jin
;
Wenya Fan
;
Shilpa Thanawala
;
Faith Zhou
;
Nancy Iwamoto
;
Emma Brouk
;
Joseph Kennedy
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
ArF Lithography;
193nm anti-reflective coating;
VFTL dual damascene patterning;
etch selectivity;
organosiloxane;
42.
Lithographic Importance of Acid Diffusion in Chemically Amplified Resists
机译:
酸扩散在光刻胶中的光刻重要性
作者:
D. Van Steenwinckel
;
J. H. Lammers
;
L. H. A. Leunissen
;
J. A. J. M. Kwinten
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
chemically amplified photoresist;
acid diffusion;
contrast;
exposure latitude;
line edge roughness;
43.
Line edge roughness reduction by plasma curing photoresists
机译:
通过等离子固化光刻胶降低线边缘粗糙度
作者:
Arpan P. Mahorowala
;
Kuang-Jung Chen
;
Ratnam Sooriyakumaran
;
Aleksra Clancy
;
Dakshi Murthy
;
Stacy Rasgon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
LER;
LWR;
surface roughness;
ArF;
plasma etch;
plasma cure;
activation energy;
protecting unit;
deprotection;
photoresist;
44.
Impregnation of Resist with Functional Molecules Using Supercritical Fluid: A New Approach to Resist Engineering for Advanced Lithography
机译:
使用超临界流体浸渍功能分子的抗蚀剂:高级光刻技术的新方法
作者:
Hideo Namatsu
;
Mitsuru Sato
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
supercritical improvement;
supercritical fluid;
functional molecules;
ArF resist;
45.
In-line Chemical Shrink Process for 70 nm Contact Hole Patterns by the Room-Temperature Electrostatic Self-Assembly
机译:
室温静电自组装用于70 nm接触孔图案的在线化学收缩工艺
作者:
Jung Hwan Hah
;
Subramanya Mayya
;
Mitsuhiro Hata
;
Hyun-Woo Kim
;
Man-Hyoung Ryoo
;
Sang-Gyun Woo
;
Han-Ku Cho
;
Joo-Tae Moon
;
Byung-Il Ryu
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
elecstrostatic self assembly;
70 nm space pattern;
thermal flow;
RELACS;
SAFIER;
46.
EUV Resist Patterning Performance from the Intel Microexposure Tool (MET)
机译:
英特尔微曝光工具(MET)的EUV抵抗图案化性能
作者:
Heidi B. Cao
;
Wang Yueh
;
Jeanette Roberts
;
Bryan Rice
;
Robert Bristol
;
Manish Chhok
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
47.
Hybrid BARC approaches for FEOL and BEOL integration
机译:
FEOL和LIVE集成的混合BARC方法
作者:
Willie Perez
;
Stephen Turner
;
Nick Brakensiek
;
Lynne Mills
;
Larry Wilson
;
Paul Popa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
48.
ELECTRON BEAM DIRECT WRITE PROCESS DEVELOPMENT FOR SUB 45NM CMOS MANUFACTURING
机译:
低于45NM CMOS制造的电子束直接写入过程开发
作者:
J. TODESCHINI
;
L. PAIN
;
S.MANAKLI
;
B. ICARD
;
V. DEJONGHE
;
B. MINGHETTI
;
M. JURDIT
;
D. HENRY
;
V. WANG
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
electron beam;
lithography;
photo-resist;
roughness;
shrinkage;
49.
Evaluation of a Novel Photoacid Generator for Chemically Amplified Photoresist with ArF Exposure
机译:
ArF曝光的新型化学增产光刻胶光酸产生剂的评估
作者:
Toshikage Asakura
;
Hitoshi Yamato
;
Tobias Hintermann
;
Masaki Ohwa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
non-ionic;
photoacid generator;
ArF;
strong acid;
chemically amplified resist;
50.
Anti-bubble topcoat for immersion lithography
机译:
防沉浸光刻的防泡面漆
作者:
Laurent Marinier
;
Yuri Aksenov
;
Rob Morton
;
David Van Steenwinckel
;
Peter Zbergen
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
immersion lithography;
bubble;
topcoat;
defectivity;
printability;
51.
Advanced Rinse Process Alternatives for Reduction of Photolithography Development Cycle Defects
机译:
减少光刻开发周期缺陷的高级冲洗工艺替代方案
作者:
Nickolas L. Brakensiek
;
Peng Zhang
;
Danielle King
;
Craig Ghelli
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
ArF;
KrF;
photolithography;
BARC;
develop;
satellite defect;
photoresist;
bottom anti- reflective coating;
surface conditioner;
52.
0.31k1 ArF Lithography for 70nm DRAM
机译:
用于70nm DRAM的0.31k1 ArF光刻
作者:
Cheolkyu Bok
;
Ki-Lyoung Lee
;
Jun-Taek Park
;
Young-Sun Hwang
;
Tae-Seung Eom
;
Seo-Min Kim
;
Geunsu Lee
;
Jae-Chang Jung
;
Chang-Moon Lim
;
Seung-Chan Moon
;
Jin-Woong Kim
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
53.
A Novel Post Exposure Bake Technique to Improve CD Uniformity over Product Wafers
机译:
一种新颖的后曝光烘烤技术,可改善产品晶圆上CD的均匀性
作者:
T. Takeishi
;
K. Hayasaki
;
T. Shibata
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
wafer wapage;
CD uniformity;
post exposure bake;
temperature variation;
multi-zone PEB bake plate;
zone offset;
54.
A Novel Contact Hole Shrink Process for the 65-nm-node and Beyond
机译:
65nm及以上节点的新型接触孔收缩工艺
作者:
Richard Peters
;
Patrick Montgomery
;
Cesar Garza
;
Stan Filipiak
;
Tab Stephens
;
Dan Babbitt
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
contacts;
193nm;
248nm;
resist;
shrink;
bilayer;
55.
A new long range proximity effect in chemically amplified photoresist processes: 'chemical flare'
机译:
化学放大光致抗蚀剂工艺中的一种新的远距离接近效应:“化学耀斑”
作者:
T. Brunner
;
Z. Chen
;
K. Chen
;
S. Scheer
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
lithography;
CD control;
flare;
high NA imagery;
microlithography;
high resolution lithography;
chemically amplified resist;
linewidth control;
process control;
linewidth uniformity;
proximity effects;
56.
Contact Hole Shrink Process with Novel Chemical Shrink Materials
机译:
新型化学收缩材料的接触孔收缩工艺
作者:
Takayoshi Abe
;
Tooru Kimura
;
Takashi Chiba
;
Motoyuki Shima
;
Shiro Kusumoto
;
Tsutomu Shimokawa
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
contact hole;
shrink process;
chemical shrink;
ArF lithography;
57.
Amplification of the Index of Refraction of Aqueous Immersion Fluids by Ionic Surfactants
机译:
离子表面活性剂放大水浸液的折射率
作者:
Kwangjoo Lee
;
Joy Kunjappu
;
Steffen Jockusch
;
Nicholas J. Turro
;
Tatjana Widerschpan
;
Jianming Zhou
;
Bruce W. Smith
;
Paul Zimmerman
;
Will Conley
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
index of refraction;
immersion photolithography;
ionic surfactants;
193 nm;
SDS;
CTAC;
CdCl_2;
58.
Double exposure for the contact layer of the 65-nm node
机译:
65纳米节点接触层的两次曝光
作者:
D.C. Owe-Yang
;
S.S. Yu
;
Harrison Chen
;
C.Y. Chang
;
Bang-Chein Ho
;
John C. Lin
;
Bum J. Lin
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
double exposure;
contact;
PAU;
isolation layer;
UV curing;
alcohol-based resist;
59.
Effect of post development process for resist roughness
机译:
显影后工艺对抗蚀剂粗糙度的影响
作者:
Koutaro Sho
;
Tsuyoshi Shibata
;
Eishi Shiobara
;
Shinichi Ito
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
LER;
LWR;
edge roughness;
ArF resist process;
60.
Cycloolefin copolymer containing hindered hydroxyl group for 193nm Photoresist
机译:
193nm光刻胶含受阻羟基的环烯烃共聚物
作者:
Seung Duk Cho
;
Hyun Sang Joo
;
Dong Chul Seo
;
Ji Young Song
;
Kyoung Mun Kim
;
Joo Hyeon Park
;
Jae Chang Jung
;
Sung Koo Lee
;
Chul Kyu Bok
;
Seung Chan Moon
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
resist reflow;
hindered alcohol;
ring opened malecic anhydride;
61.
Development of Optically Transparent Cyclic Olefin Photoresist Binder Resins
机译:
光学透明的环状烯烃光致抗蚀剂树脂的开发
作者:
Larry F. Rhodes
;
Chun Chang
;
Cheryl Burns
;
Dennis A. Barnes
;
Brian Bennett
;
Larry Seger
;
Xiaoming Wu
;
y Sobek
;
Mike Mishak
;
Craig Peterson
;
Leah Langsdorf
;
Hideo Hada
;
Hiroaki Shimizu
;
Kazuhito Sasaki
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
关键词:
cyclic olefin;
norbornene;
photoresist;
transparency;
193 nm;
62.
Lithographic technologies that haven't (yet) made it; lessons learned
机译:
尚未实现的光刻技术;得到教训
作者:
R. Fabian Pease
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
63.
Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis - How OPC is changing IC Design
机译:
全芯片光刻仿真和设计分析-OPC如何改变IC设计
作者:
Chris Spence
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing XXII pt.1》
|
2005年
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