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Meriem Hanzaz; Said Fadlo; Ahmed Nouacry; Abdelkader Touhami;
Laboratory;
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Materials;
Physics,;
Microelectronics,;
Automatic;
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Thermic,;
Faculty;
Sciences;
Ain;
Chock;
Km8,;
University;
Hassan11,;
Casablanca;
5366.;
Morocco;
高电子迁移率晶体管; AlGaN; 缺陷密度; 流动; HEMT; 氮化镓; 试验数据; 时空演化;
机译:Movpe-GaN中GaN种植的GaN的微观结构和光学性质及GaN生长的GaN组织和光学性质。
机译:GaN©©GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN GaN 婢究©:•Wulffã®ä½œå›³æ³•ã«ˆã,‹æ¤œè¨¼
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:圆柱下部20of
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:N型GaN晶体,GaN晶片和制造GaN晶体,GaN晶片和氮化物半导体器件的方法
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